文献

J-GLOBAL ID：202002260796314719   整理番号：20A1069405

ホウ素ドープ単層カーボンナノチューブ系単一電子トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

Boron-doped single-walled carbon nanotube-based single-electron transistor

著者 (1件)： Parashar Sweta (Department of Physics, Banasthali Vidyapith, Rajasthan 304022, India)
資料名： AIP Conference Proceedings  (AIP Conference Proceedings)
巻： 2220  号： 1  ページ： 020127-020127-4  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0071C  ISSN： 0094-243X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ab initio計算を用いて,真性及びホウ素ドープ(Bドープ)(5,0)単層カーボンナノチューブ(SWCNT)ベースの単一電子トランジスタ(SET)のモデリングとコンダクタンス解析を示した。SWCNT(5,0)ベースのSETのモデリングにおいて,ナノチューブは周囲の静電環境と弱く結合している。真性SWCNTおよび1BドープSWCNTと比較して,2BドープSWCNTは,より低いイオン化および親和性エネルギーを示した。これは静電環境による2BドープSWCNT上の電荷の安定化に起因する。これらの観察結果を,電荷安定性図をプロットすることによってさらに研究した。2BドープSWCNTは高速スイッチングと導電性SETの潜在的候補であると予測される。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電荷 ,  *ホウ素 ,  *ドーピング ,  親和性 ,  *単一電子トランジスタ ,  *ナノチューブ ,  コンダクタンス ,  導電性 ,  *単層カーボンナノチューブ
準シソーラス用語： 第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ホウ素 ,  ドープ ,  単層カーボンナノチューブ ,  単一電子トランジスタ