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J-GLOBAL ID：202002260985762690   整理番号：20A0837069

TeとSnをドープしたBi_0.91Sb_0.09単結晶における高磁気抵抗【JST・京大機械翻訳】

High magnetoresistance in Bi_0.91Sb_0.09 single crystals doped with Te and Sn

著者 (2件)： Kozhemyakin G. N. (Shubnikov Institute of Crystallography of Federal Scientific Research Center “Crystallography and Photonics” of Russian Academy of Sciences, Leninskiy Prospekt, 59, 119333 Moscow, Russia) ,  Zayakin S. A. (Shubnikov Institute of Crystallography of Federal Scientific Research Center “Crystallography and Photonics” of Russian Academy of Sciences, Leninskiy Prospekt, 59, 119333 Moscow, Russia)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 127  号： 13  ページ： 133904-133904-6  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ドナーとアクセプタのドーピングがBi_0.91Sb_0.09単結晶の磁気輸送にどのように影響するかを調べた。5×10~5at%~10~3at%のTeとSnをドーピングした完全で均一なBi_0.91Sb_0.09単結晶を,固体Sb供給を用いたCzochralski法により成長させた。77Kで8.2×10~5cm~2V~-1s-1の高いキャリア移動度がこれらの単結晶で達成された。1.0Tの磁場および150K以下の温度では,アンドープおよびドープBi_0.91Sb_0.09単結晶は他の材料よりも高い磁気抵抗を示した。Bi_0.91Sb_0.09単結晶のTeおよびSnドーピングの影響,それらのバンド構造の特徴,および磁気抵抗に及ぼす磁場中のキャリア有効質量,密度および移動度の変化,およびAbrikosov量子理論の適用性を研究した。90Kにおいて1.15Tの磁場中でSnドープ(1.5×10~4at.%)単結晶において5800%の高い線形磁気抵抗が達成された。本結果は,研究した単結晶が磁気センサと多機能電磁素子の有望な材料であることを示唆した。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *テルル ,  *スズ ,  移動度 ,  有効質量 ,  *ドーピング ,  ドナー ,  Czochralski法 ,  バンド構造 ,  アクセプタ ,  磁場 ,  量子論 ,  *単結晶 ,  キャリア移動度 ,  *アンチモン ,  *磁気抵抗

分類 (2件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (5件)： Te ,  Sn ,  ドープ ,  単結晶 ,  磁気抵抗