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J-GLOBAL ID：202002260998835024   整理番号：20A0428069

オペランド界面分析により明らかにされた電気二重層有機FETにおける界面でのイオン液体起源キャリア捕獲動力学【JST・京大機械翻訳】

Ionic-Liquid-Originated Carrier Trapping Dynamics at the Interface in Electric Double-Layer Organic FET Revealed by Operando Interfacial Analyses

著者 (11件)： Okaue Daijiro (Department of Materials Engineering Science, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Osaka, Japan) ,  Tanabe Ichiro (Department of Materials Engineering Science, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Osaka, Japan) ,  Ono Sakurako (Department of Materials Engineering Science, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Osaka, Japan) ,  Sakamoto Kota (Department of Materials Engineering Science, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Osaka, Japan) ,  Sato Taiki (Department of Materials Engineering Science, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Osaka, Japan) ,  Imanishi Akihito (Department of Materials Engineering Science, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Osaka, Japan) ,  Morikawa Yoshitada (Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University, Osaka, Japan) ,  Morikawa Yoshitada (Research Centre for Ultra-Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University, Osaka, Japan) ,  Takeya Jun (Department of Advanced Materials Science, Graduate School of Frontier Sciences, The University of Tokyo, Chiba, Japan) ,  Fukui Ken-ichi (Department of Materials Engineering Science, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Osaka, Japan) ,  Fukui Ken-ichi (Institute for Molecular Science (IMS), Japan)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 124  号： 4  ページ： 2543-2552  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高誘電率(k)のイオン液体(IL)は有機電界効果トランジスタ(OFET)の有望な誘電体である。しかし,誘電体の界面分極がキャリア捕獲を引き起こすことが知られている。本論文において,高いデバイス性能と安定性を有する電気二重層OFET(EDL-OFET)のベンチマークシステムを用いて,界面でのキャリア捕獲挙動を調べた。高正孔キャリア移動度とILゲート誘電体として1-エチル-3-メチルイミダゾリウムビス-(フルオロスルホニル)-イミド(EMIM-FSI)を示す有機半導体としてルブレン単結晶を用いた。見かけのバイアス応力がシステムで観察された:EDL-OFETの動作電圧は約2時間で2倍以上に増加した。オペランド電気化学周波数変調原子間力顕微鏡は,キャリア注入ルブレン表面に面する第一IL層の段階的な構造化を明らかにした。分子動力学(MD)シミュレーションは,パターン形成構造を形成することにより静電安定化を伴う第一IL層中のイオンの再配向を示唆した。この安定な配置において,正に帯電したルブレン表面を示すFSIアニオンの負に帯電したO及びF原子はより近くなり,徐々に正孔キャリア捕獲をもたらす。また,構造化したIL層は変形し,正孔キャリアを捕獲するために大きなオフ状態ゲート電圧を印加することにより,ILに起因するバイアス応力が直ちに回復することが分かった。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア注入 ,  *電気二重層 ,  有機半導体 ,  *界面 ,  イミド ,  キャリア移動度 ,  再配向 ,  ゲート絶縁膜 ,  シミュレーション ,  *イオン液体 ,  アニオン ,  正孔 ,  *キャリア捕獲 ,  単結晶 ,  誘電体

分類 (2件)： 融解塩  (CB05050R) ,  固-液界面  (CB12050B)

タイトルに関連する用語 (9件)： オペランド ,  界面分析 ,  電気二重層 ,  有機FET ,  界面 ,  イオン液体 ,  起源 ,  キャリア捕獲 ,  動力学