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J-GLOBAL ID：202002261005316579   整理番号：20A0788463

多孔質シリコン多層膜によるa-Si:H/c-Siヘテロ接合の交流インピーダンス分光研究【JST・京大機械翻訳】

Alternating current impedance spectroscopic investigation of an a-Si:H/c-Si heterojunction with porous silicon multilayers

著者 (9件)： Seba H.Y. (Laboratoire de Physique des Materiaux equipe “Couches Minces et Semi-conducteurs”, Faculte de physique USTHB, BP. 32 EL ALIA, 16111, Bab Ezzouar, Algiers, Algeria) ,  Seba H.Y. (Laboratoire des Materiaux, Technologie des systemes energetiques et environnement, Faculte des sciences et de technologie, Universite de Ghardaia Noumirat BP 455, route de Ouargla, 47000, Ghardaia, Algeria) ,  Hadjersi T. (Centre de recherche de la Technologie des semiconducteurs pour l’energetique CRTSE, 02 Bd Frantz, Fanon, Algiers, Algeria) ,  Zebbar N. (Laboratoire de Physique des Materiaux equipe “Couches Minces et Semi-conducteurs”, Faculte de physique USTHB, BP. 32 EL ALIA, 16111, Bab Ezzouar, Algiers, Algeria) ,  Brighet A. (Laboratoire de Physique des Materiaux equipe “Couches Minces et Semi-conducteurs”, Faculte de physique USTHB, BP. 32 EL ALIA, 16111, Bab Ezzouar, Algiers, Algeria) ,  Berouaken M. (Centre de recherche de la Technologie des semiconducteurs pour l’energetique CRTSE, 02 Bd Frantz, Fanon, Algiers, Algeria) ,  Manseri A. (Centre de recherche de la Technologie des semiconducteurs pour l’energetique CRTSE, 02 Bd Frantz, Fanon, Algiers, Algeria) ,  Chabane L. (Laboratoire de Physique des Materiaux equipe “Couches Minces et Semi-conducteurs”, Faculte de physique USTHB, BP. 32 EL ALIA, 16111, Bab Ezzouar, Algiers, Algeria) ,  Kechouane M. (Laboratoire de Physique des Materiaux equipe “Couches Minces et Semi-conducteurs”, Faculte de physique USTHB, BP. 32 EL ALIA, 16111, Bab Ezzouar, Algiers, Algeria)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 699  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,結晶シリコン(c-Si)ウエハの電気化学エッチングにより形成された多孔質シリコン多層(分散Bragg反射体DBR)上に堆積した薄い水素化非晶質シリコン(a-Si:H)膜を含む構造を研究した。a-Si:H薄膜をアルゴンと水素雰囲気の混合物中で直流マグネトロンスパッタリング法により蒸着した。以前の研究では,結晶シリコン上に形成されたBraggミラーがa-Si:Hの光トラッピングに重要な役割を果たしていることを示した。気孔率,厚さおよび表面粗さに関する多孔質シリコンの構造的特徴を分光エリプソメトリを用いて決定した。作製した構造をインピーダンス分光法により分析した。インピーダンス分光法から得られたデータの適合は,電気的等価回路を決定することを可能にした。これは構造の電子的挙動の同定を可能にし,界面を含むそれらの異なる成分の役割を説明することを可能にする。この目的のために,著者らは引き続いて進行した。最初に,多孔質シリコン単分子層の特性化により,多孔性シリコン多層により形成された後方向構造をDBRとして,a-Si:H/c-Siとa-Si:H/PSi(DBR)/c-Siの構造を特性化した。DBRとのヘテロ接合に対して負の静電容量が見出され,これは多孔質と非晶質シリコンの間の界面における欠陥状態の存在に起因していた。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *多層膜 ,  *多孔質シリコン ,  *ヘテロ接合 ,  静電容量 ,  等価回路 ,  光トラッピング ,  水素化 ,  界面 ,  Bragg反射 ,  アルゴン ,  単分子層 ,  薄膜 ,  多層 ,  キャラクタリゼーション ,  アモルファスシリコン

著者キーワード (7件)： 水素化非晶質シリコン ,  結晶シリコン ,  ヘテロ接合 ,  直流マグネトロンスパッタリング ,  インピーダンス分光法 ,  多孔質シリコン多層膜 ,  負の容量

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 多孔質シリコン ,  多層膜 ,  Si ,  ヘテロ接合 ,  交流インピーダンス ,  分光 ,  研究