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J-GLOBAL ID:202002261206732364   整理番号:20A2483658

透過型電子顕微鏡によるシリコンと銅のピラミッド組織化表面における酸素拡散の定量的解析【JST・京大機械翻訳】

Quantitative analysis on the oxygen diffusion in pyramidal textured surfaces of silicon and copper via transmission electron microscopy
著者 (6件):
資料名:
巻: 121  ページ: Null  発行年: 2021年 
JST資料番号: W1055A  ISSN: 1369-8001  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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マイクロエレクトロニクスデバイス製作の過程で,酸素原子は二重の役割を果たす。それはSiO_2層を生成するSiを酸化する。さらに,それは金属電極を酸化して,故障を引き起こし,不純物再結合中心として作用する半導体に入る。この現象は材料表面における酸素拡散に密接に関連している。組織化された材料表面がしばしば使用されるが,この表面内の酸素拡散はめったに研究されていない。研究は平面材料表面でのみ利用できる。本研究では,ピラミッド状テクスチャ表面を有する単結晶Si薄片と,この基板に堆積した一連のCu膜を熱酸化した。このような組織化表面の酸素拡散を透過型電子顕微鏡により定量的に解析した。酸素分布および酸素:カチオン原子濃度比の変化を酸化物厚さの関数として得た。したがって,SiO_xとCuO_xの亜酸化物拡散層が表面で見出された。さらに,テキスチャード材料表面の酸化速度は,平面表面に比べて低い酸素分圧により著しく減少した。これらの結果は,電極酸化に抵抗し,オプトエレクトロニックデバイスのためのテクスチャ材料表面を用いるとき,酸素再結合中心の濃度を低減するために,酸化物厚さを制御するのに使用できる。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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光化学一般 

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