文献
J-GLOBAL ID:202002261448969849   整理番号:20A2802296

シリコン光起電力用の両極性不動態化裏面電界層【JST・京大機械翻訳】

Ambipolar Passivated Back Surface Field Layer for Silicon Photovoltaics
著者 (6件):
資料名:
巻: 30  号: 50  ページ: e2004943  発行年: 2020年 
JST資料番号: W1336A  ISSN: 1616-301X  CODEN: AFMDC6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
表面再結合の抑制は,通常,不動態化または裏面場(BSF)層の導入により達成される効率的なシリコン光起電力の実現にとって極めて重要である。本研究では,自己組織化,強誘電性および有機薄膜を,スイッチング分極によりn型およびp型Si太陽電池の両方に対する不動態化BSF層として使用できることを初めて示した。2極性不動態化BSFを有するn-Si/PEDOT:PSSヘテロ接合太陽電池は18.37%の効率を示し,これは有機半導体/n-Siヘテロ接合太陽電池の記録-高効率である。さらに,両極性不動態化BSFを有するホモ接合p-Si太陽電池はアルミニウム-BSF電池に比べて優れた性能を示した。有限差分時間領域シミュレーションは,強誘電層による電場がSiの背面に深く広がり,バンド曲がりを引き起こし,その結果,表面再結合を減少させることを明らかにした。さらに,不動態化したBSFを有する太陽電池は,標準湿熱試験の1000時間後にさえ,初期性能の>95%を維持した。本研究は,以前に無機物に排他的である,優れた不動態化と高性能を有するSiベース太陽電池を与える。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
太陽電池 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る