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J-GLOBAL ID：202002261549280356   整理番号：20A0763578

ポリエチレンテレフタレート基板上の透明導電性非晶質In_2O_3:Zn膜における低電気抵抗率と高仕事関数を達成するためのエキシマレーザアニーリング法【JST・京大機械翻訳】

Excimer laser annealing method for achieving low electrical resistivity and high work function in transparent conductive amorphous In₂O₃:Zn films on a polyethylene terephthalate substrate

著者 (5件)： Nomoto Junichi (Advanced Coating Technology Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba Central 5-2, 1-1-1 Higashi, Tsukuba, Ibaraki 305-8565, Japan) ,  Yamaguchi Iwao (Advanced Coating Technology Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba Central 5-2, 1-1-1 Higashi, Tsukuba, Ibaraki 305-8565, Japan) ,  Nakajima Tomohiko (Advanced Coating Technology Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba Central 5-2, 1-1-1 Higashi, Tsukuba, Ibaraki 305-8565, Japan) ,  Matsubayashi Yasuhito (Advanced Coating Technology Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba Central 5-2, 1-1-1 Higashi, Tsukuba, Ibaraki 305-8565, Japan) ,  Tsuchiya Tetsuo (Advanced Coating Technology Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba Central 5-2, 1-1-1 Higashi, Tsukuba, Ibaraki 305-8565, Japan)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 698  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリエチレンテレフタレート(PET)基板上の非晶質In_2O_3:Zn(IZO)膜において,低い電気抵抗率(ρ)と高い仕事関数を達成するエキシマレーザアニーリング法を開発した。膜のエキシマレーザ照射が亀裂形成,電気的性質(ρ,キャリア濃度,Hall移動度),仕事関数に及ぼす影響を調べた。KrFエキシマレーザ照射はPET基板の熱膨張の結果としてPET上のIZO膜の表面に亀裂を生じた。IZO層とPET基板間の熱障壁として非晶質SiO_2層を挿入することにより,亀裂形成を防止した。さらに,IZO膜の仕事関数はレーザフルエンスと繰返し速度によって制御できることが分かった。SiO_2被覆PET基板上への150nm厚の非晶質IZO膜の照射は,平坦な表面を維持しながら,酸素と炭素の還元により,3.55×10~4Ωcmの低ρと5.4eVの高仕事関数を達成した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 亀裂 ,  *仕事関数 ,  *電気抵抗率 ,  熱膨張 ,  酸素 ,  炭素 ,  被覆 ,  *ポリエチレンテレフタレート ,  *エキシマ ,  *非晶質 ,  キャリア密度 ,  *レーザアニーリング ,  *エキシマレーザ ,  *導電性 ,  *芳香族ポリエステル
準シソーラス用語： レーザフルエンス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： エキシマレーザアニーリング ,  透明導電性酸化物 ,  仕事関数制御 ,  バッファ層

分類 (2件)： レーザ照射・損傷  (BK16040S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： ポリエチレンテレフタレート ,  導電性 ,  非晶質 ,  Zn ,  電気抵抗率 ,  仕事関数 ,  エキシマレーザ ,  アニーリング法