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J-GLOBAL ID：202002261739994369   整理番号：20A1074001

ICパッケージの過渡熱抵抗解析【JST・京大機械翻訳】

Transient Thermal Resistance Analysis for IC Packages

著者 (6件)： Chen Hsin-En (Group R&D / Stress & Thermal Lab Advanced Semiconductor Engineering (ASE), Inc.,Kaohsiung,Taiwan) ,  Yang Penny (Group R&D / Stress & Thermal Lab Advanced Semiconductor Engineering (ASE), Inc.,Kaohsiung,Taiwan) ,  Hu Ian (Group R&D / Stress & Thermal Lab Advanced Semiconductor Engineering (ASE), Inc.,Kaohsiung,Taiwan) ,  Shih Meng-Kai (Group R&D / Stress & Thermal Lab Advanced Semiconductor Engineering (ASE), Inc.,Kaohsiung,Taiwan) ,  Tarng David (Group R&D Advanced Semiconductor Engineering (ASE), Inc.,Kaohsiung,Taiwan) ,  Hung CP (Group R&D Advanced Semiconductor Engineering (ASE), Inc.,Kaohsiung,Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： ICEPT  ページ： 1-4  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 次世代の5Gモバイルネットワークは,携帯機器,電気自動車,GPS,AR/VR,スマートホームシステム,IOTなどの様々なライフにリンクされている。より軽く,より薄く,より多くの機能の傾向において,それは,また,高い電力消費と過熱のようないくつかの問題に悩まされ,高性能と低電力消費は,要求を満たすことができる。これらの期待を満たすために,ICは,低いまたは超低電流(nAμA),低クロック速度およびコマンド簡素化などを設計する必要があるが,しかし,これらのミリ秒またはマイクロ秒信号,より複雑な動作モードおよび急速スイッチング周波数に対して,従来の温度測定は,瞬時温度変化を正確に測定することができなかった。温度上昇が過渡熱シミュレーションによって評価されるならば,密度や比熱などの正しいモデルサイズや材料特性が必要であるが,例えば,シリコン金型,基板やPCCなどのめっき材料トレースなどの多重材料に対する正しい材料情報を見つけることは困難である。したがって,過渡シミュレーションにおける温度変化は正確に解析できない。本論文では,QFNとHFCBGAにおけるJEDECの伝統的測定法とTDIM(過渡的界面測定)の間の熱抵抗測定の差を評価し,異なる測定環境下での結果の差と原因を比較した。加えて,TDIMは各構造層の熱抵抗を評価し,温度と熱抵抗の瞬間的変化も測定できる。最後に,過渡的熱モデルをシミュレーションソフトウェアによる補正の後に提供することができて,過渡的シミュレーション結果がより良くてより正確であることを確実にした。結果は,TDIMと従来の方法の間の差異が,加熱パワーがより小さいとき,重要でないことを示した。大きな加熱パワーは10%以上に有意に増加した。構造関数の過程を通して,熱経路における欠陥が大きな熱抵抗を引き起こす可能性があることを見出すことができた。修正熱モデルは過渡解析における実際の測定結果に近く,システムレベルの熱シミュレーションにおいても有意差がある。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  シミュレーション ,  電流 ,  *熱抵抗 ,  簡素化 ,  ケイ素 ,  クロック ,  電気自動車 ,  めっき ,  電力消費 ,  過渡解析 ,  多重化 ,  昇温
準シソーラス用語： 熱モデル ,  携帯機器 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： ICパッケージ ,  熱抵抗 ,  解析