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J-GLOBAL ID：202002261815247736   整理番号：20A1074013

WBBGAパッケージ高端リレー保護チップの熱シミュレーションと解析【JST・京大機械翻訳】

Thermal simulation and analysis of WBBGA packaging High-end Relay Protection Chip

著者 (7件)： Han S. F. (Beijing Engineering Research Center of High-reliability IC with Power Industrial Grade Beijing Smart-chip Microelectronics Technology Co., Ltd,State Grid Key Laboratory of Power Industrial Chip Design and Analysis Technology,Beijing,China) ,  Tang X. K. (Beijing Engineering Research Center of High-reliability IC with Power Industrial Grade Beijing Smart-chip Microelectronics Technology Co., Ltd,State Grid Key Laboratory of Power Industrial Chip Design and Analysis Technology,Beijing,China) ,  Li D. J. (Beijing Engineering Research Center of High-reliability IC with Power Industrial Grade Beijing Smart-chip Microelectronics Technology Co., Ltd,State Grid Key Laboratory of Power Industrial Chip Design and Analysis Technology,Beijing,China) ,  Guan Y. (Beijing Engineering Research Center of High-reliability IC with Power Industrial Grade Beijing Smart-chip Microelectronics Technology Co., Ltd,State Grid Key Laboratory of Power Industrial Chip Design and Analysis Technology,Beijing,China) ,  Li B. F. (Beijing Engineering Research Center of High-reliability IC with Power Industrial Grade Beijing Smart-chip Microelectronics Technology Co., Ltd,State Grid Key Laboratory of Power Industrial Chip Design and Analysis Technology,Beijing,China) ,  Wang X. Y. (Guilin University of Electronic Technology,College of Mechanical and Electrical Engineering,Guilin,China) ,  Yang D. G. (Guilin University of Electronic Technology,College of Mechanical and Electrical Engineering,Guilin,China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： ICEPT  ページ： 1-5  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ハイエンド中継保護チップのパッケージは,257入力/出力(I/Os)を有するWire Bonding BGA(WBBGA)である。本論文では,計算流体力学(CFD)ツールを用いて,ハイエンドリレー保護チップの熱性能を調べた。最初に,初期の熱シミュレーション結果によると,パッケージの接合温度は,環境温度が25°Cのとき,Relay保護チップ上に現れた115.29°Cであった。次に,パラメータ研究を行い,接合温度を調べた。Via数,Via被覆厚さ,サブストレート面積,基板の銅被覆率,プリント回路基板(PCB)面積,エポキシ成形化合物(EMC)の熱伝達係数および金型付着(DA)を含む熱性能に及ぼす異なるパラメータの影響を解析した。最後に,直交実験を設計した。DAの熱伝達係数は,分散分析による熱性能に関する最も重要な因子であり,加えて,パッケージ構造と材料パラメータの最適配置が,範囲解析によって得られることがわかった。最適パッケージの接合温度は,95.69°Cに17%低下した。これらのシミュレーションの結果は,パッケージがRelay保護装置で実行する方法の合理的な表示を与える。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 付着 ,  分散分析 ,  熱伝達率 ,  銅 ,  *被覆 ,  保護装置 ,  基質 ,  プリント基板 ,  熱特性 ,  直交性 ,  計算流体力学
準シソーラス用語： 最適配置 ,  接合温度 ,  環境温度 ,  *熱シミュレーション , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： リレー ,  熱シミュレーション ,  解析