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J-GLOBAL ID：202002261817978916   整理番号：20A0786130

Ge-Sn-Te相変化メモリ材料における抵抗ドリフト抑制の化学的理解【JST・京大機械翻訳】

Chemical understanding of resistance drift suppression in Ge-Sn-Te phase-change memory materials

著者 (7件)： Chen Yuhan (Center for Advancing Materials Performance from the Nanoscale, State Key Laboratory for Mechanical Behavior of Materials, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China) ,  Sun Liang ,  Zhou Yuxing ,  Zewdie Getasew M. ,  Deringer Volker L. ,  Mazzarello Riccardo ,  Zhang Wei
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 8  号： 1  ページ： 71-77  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質カルコゲナイド相変化材料(PCM)で観察された抵抗ドリフト現象は,PCMベースのニューロ触発コンピューティングデバイスの開発を妨げている。電気抵抗のドリフトは,プロトタイプPCM GeTe中のSnとGeを置換することにより効果的に減少し,非晶質(Ge_1-xSn_x)Te固体を形成することが観察された。しかし,このようなドリフト抑制現象の原子論的および化学的起源は不明のままである。本研究では,非晶質Ge-Sn-Te材料の完全なab initioシミュレーションと化学結合解析を行った。PCMにおけるガラス緩和に対する二つの臨界駆動力,すなわち四面体モチーフの量とPeierls歪の程度はSn含有量が増加すると徐々に減少することを示した。このような傾向は,Ge→Sn置換によってもたらされるイオン性の増加によって説明できる。著者らの研究は,最適なSnリッチGeSnTe組成が,超低抵抗ドリフトを有するPCMベースのニューロインスパイアコンピューティングのために達成できることを示唆した。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： プロトタイプ ,  非晶質 ,  *ドリフト ,  駆動力 ,  ガラス ,  シミュレーション ,  *スズ ,  臨界 ,  カルコゲン化物 ,  *ゲルマニウム ,  緩和現象 ,  四面体
準シソーラス用語： GeTe ,  相変化材料 ,  *相変化メモリ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  相転移・臨界現象一般  (BL04010V) ,  発光素子  (NC03082G) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  有機化合物・錯体の蛍光・りん光(分子)  (BH06062I)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ge ,  Sn ,  Te ,  相変化メモリ ,  ドリフト ,  化学 ,  理解