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J-GLOBAL ID：202002261823378660   整理番号：20A0844622

レーザスライシング技術を応用したシリコンウエハの面取り切断

著者 (3件)： 山田洋平 (埼玉大) ,  池野順一 (埼玉大) ,  鈴木秀樹 (信越ポリマー)
資料名： 精密工学会大会学術講演会講演論文集  (精密工学会大会シンポジウム資料集)
巻： 2020  号： 春季(CD-ROM)  ページ： ROMBUNNO.E21  発行年： 2020年03月01日 
JST資料番号： Y0914A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： レーザスライシング技術とは,レーザを材料内部に集光し,形成された微小な加工痕を一つ一つ連結させて,半導体結晶材料等を精密に切断する技術である.微小な点群の集まりで加工を達成するため,切断面を任意形状にすることが可能である.本論文では,シリコンウエハの円形切断を行いながら,同時に,面取り加工を行ったので報告する.(著者抄録)

シソーラス用語： *レーザ切断 ,  切削 ,  *ウエハ【IC】 ,  面取 ,  *精密加工
準シソーラス用語： スライシング ,  シリコンウエハ

分類 (1件)： 特殊加工  (QC04000Y)

引用文献 (1件)：

• 山田洋平,金子洋平,池野順一,鈴木秀樹:レーザによる微小内部亀裂連鎖に基づく半導体結晶材料の高品位切断加工,精密工学会誌,83,4, (2016), 829-830.

タイトルに関連する用語 (5件)： レーザ ,  スライシング ,  応用 ,  シリコンウエハ ,  面取り