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J-GLOBAL ID：202002261918253070   整理番号：20A2088150

パルスレーザ法によって作製した炭素膜とGaAs構造の性質に及ぼすそれらの影響【JST・京大機械翻訳】

Carbon Films Produced by the Pulsed Laser Method and Their Influence on the Properties of GaAs Structures

著者 (14件)： Danilov Yu. A. (Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Danilov Yu. A. (Physical Technical Research Institute, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Ved’ M. V. (Physical Technical Research Institute, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Vikhrova O. V. (Physical Technical Research Institute, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Dikareva N. V. (Physical Technical Research Institute, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Drozdov M. N. (Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Zvonkov B. N. (Physical Technical Research Institute, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Kovalskiy V. A. (Institute of Microelectronics Technology and High-Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Moscow region, Russia) ,  Kriukov R. N. (Physical Technical Research Institute, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Kudrin A. V. (Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Kudrin A. V. (Physical Technical Research Institute, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Lesnikov V. P. (Physical Technical Research Institute, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Yunin P. A. (Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Andreev A. M. (Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 54  号： 9  ページ： 1059-1063  発行年： 2020年 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 真空中で熱分解グラファイトのパルスレーザスパッタリングによりGaAs基板上に生成した炭素層の特性を調べた。最適堆積温度は500°Cである;この場合,炭素層の成長速度は0.19nms-1であった。Ramanスペクトルはナノ結晶黒鉛のスペクトルに対応する。炭素層はp型伝導率を有し,抵抗の半導体型温度依存性を示し,InGaAs量子井戸を有するGaAs構造の導電性透明被覆として使用された。構造は小さなポンプ電流でも顕著なエレクトロルミネセンスを示し,測定の室温まで1.5~2.2eVの範囲で感光性であった。Copyright Pleiades Publishing, Ltd. 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Ramanスペクトル ,  エレクトロルミネセンス ,  電流 ,  半導体 ,  *炭素 ,  被覆 ,  *ヒ化ガリウム ,  グラファイト ,  *パルスレーザ ,  スペクトル ,  *パルス ,  量子井戸 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  導電性 ,  ナノ結晶

著者キーワード (3件)： 炭素ナノ層 ,  グラフェン ,  エレクトロルミネセンス

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： パルスレーザ ,  作製 ,  炭素膜 ,  GaAs ,  性質