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J-GLOBAL ID：202002261989882730   整理番号：20A1105392

酸化物半導体に対する少数キャリア生成寿命の評価【JST・京大機械翻訳】

Evaluation of Minority Carrier Generation Lifetime for Oxide Semiconductors

著者 (5件)： Choi Pyungho (Department of Electrical and Computer Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, Gyeonggi 16419, Republic of Korea) ,  Lee Sangmin (Department of Electrical and Computer Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, Gyeonggi 16419, Republic of Korea) ,  Kim Hyojung (Technology Reliability, OLED Business, Samsung Display Co., Ltd., Cheonan, Chungnam 31086, Republic of Korea) ,  Park Jungmin (YE Team, PIE 1group, Foundry Business, Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon, Gyeonggi 16419, Republic of Korea) ,  Choi Byoungdeog (Department of Electrical and Computer Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, Gyeonggi 16419, Republic of Korea)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 704  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,InGaZnO(IGZO)とInSnZnO(ISZO)薄膜トランジスタの移動特性を少数キャリア発生寿命法を用いて比較した。p+-Si/SiO_2/IGZOまたはISZO構造を有するIGZO-およびISZO-ベースのキャパシタの容量-電圧および容量-時間特性を100kHzの周波数で評価した。IGZOとISZO膜の固有キャリア濃度は~10~7cm-3のオーダーにあるが,非常に低いオフ状態ドレイン電流(I_D,OFF)をもたらすと予想され,I_Dに対して10~12~10~11Aの大きさがこの研究で測定された。これはチャネル欠陥から熱的に発生する少数キャリアに起因することを提案した。さらに,ISZO膜はIGZO膜と比較してより速い過渡容量特性を示し,これはチャネル基板中の欠陥サイトの量と関連している。従って,ISZO膜に対する低い過渡時間は,IGZO膜におけるよりもチャネル層における多数の酸素空格子点に起因している。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： コンデンサ ,  電圧 ,  薄膜トランジスタ ,  キャリア密度 ,  *少数キャリア ,  *キャリア生成
準シソーラス用語： ドレイン電流 ,  *酸化物半導体 ,  酸素空格子点 ,  酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 ,  オフ状態 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 酸化物半導体 ,  インジウムガリウム亜鉛オキシド ,  インジウムすず酸化亜鉛 ,  過渡容量 ,  キャリア生成寿命

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 酸化物半導体 ,  キャリア生成 ,  寿命 ,  評価