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J-GLOBAL ID:202002262068609821   整理番号:20A2532419

炭素療法におけるLET分布測定のためのワイドバンドギャップ半導体ベース線量計の開発【JST・京大機械翻訳】

Development of wide-bandgap semiconductor-based dosimeter for LET distribution measurement in carbon therapy filed
著者 (9件):
資料名:
巻: 1662  号:ページ: 012015 (5pp)  発行年: 2020年 
JST資料番号: W5565A  ISSN: 1742-6588  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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本論文は,臨床炭素ビーム治療分野における線形エネルギー移動(LET)分布測定用の広帯域半導体の型である炭化ケイ素(SiC)の概念の証明を提示した。イオン化検出器用に設計されたSiC Schottky障壁ダイオード(SBD)を,日本,Gunma大学重イオン医療センター(GHMC)施設における,元の290MeV/u12C重イオン療法ビームの分光法に利用した。LET分布の測定は,開発したSiC SBD線量計により異なる深さで成功裏に実証された。また,SiC SBDを高強度条件で臨床炭素ビームに曝露した。CCEと深いレベル欠陥評価を通して,十分な放射線耐性を,臨床炭素における美術的使用のためのSiC SBDのために調査した。これらの結果は,SiC SBDの予備評価は,重イオン療法場のためのエネルギー分散線量計として成功することを示唆した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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線量計測・計測器 

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