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J-GLOBAL ID：202002262220425632   整理番号：20A1056909

酸化化学蒸着を用いて作製した空気安定p型ポリチオフェン電界効果トランジスタの移動度【JST・京大機械翻訳】

Mobility of Air-Stable p-type Polythiophene Field-Effect Transistors Fabricated Using Oxidative Chemical Vapor Deposition

著者 (8件)： Lee Sunghwan (School of Engineering Technology, Purdue University, West Lafayette, IN, USA) ,  Song Han Wook (Center for Mass and Related Quantities, Korea Research Institute of Standard and Science, Daejeon, South Korea) ,  Cho Jae Yong (Department of Electrical Engineering, Hanyang University, Seoul, South Korea) ,  Radevski Nik (Surface Analysis and Materials Engineering Research Group, College of Science, Health, Engineering and Education, Murdoch University, Murdoch, WA, Australia) ,  Truc Linh Nguyen Thi (Department of Chemistry, Ho Chi Minh City University of Education, Ho Chi Minh City, Vietnam) ,  Sung Tae Hyun (Department of Electrical Engineering, Hanyang University, Seoul, South Korea) ,  Jiang Zhong-Tao (Surface Analysis and Materials Engineering Research Group, College of Science, Health, Engineering and Education, Murdoch University, Murdoch, WA, Australia) ,  No Kwangsoo (Department of Materials Science and Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon, South Korea)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 49  号： 6  ページ： 3465-3471  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化化学蒸着(oCVD)を用いて処理した非置換ポリチオフェン(PT)チャネルに基づく空気安定有機電界効果トランジスタ(FET)を研究した。その剛性骨格構造および水と酸素との反応に対する抵抗を含むPTの固有特性は,oCVD PTベースFETデバイスの優れた空気安定性をもたらす。PTベースFETの電界効果移動度(μ_FE)に及ぼすチャネル/メタ化接触抵抗の影響も調べた。チャネル/メタライゼーション接触抵抗により,チャネルに印加された実際の電圧はソース/ドレイン接触で生じる電圧降下のために意図されたドレインバイアスよりも著しく低いことが分かった。伝送線路測定により,チャネルに印加したすべてのゲート電圧で,意図したドレインバイアスの30%以上が失われることを明らかにした。接触効果を除く再構成出力特性は,修正μ_FEの抽出を可能にし,それは接触抵抗を有するものより約40%高い。Copyright The Minerals, Metals & Materials Society 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *移動度 ,  *酸化 ,  接触抵抗 ,  電圧 ,  酸素 ,  剛性 ,  *FET【トランジスタ】 ,  伝送線路 ,  メタライゼーション ,  *化学蒸着 ,  *ポリチオフェン ,  電圧降下
準シソーラス用語： 電界効果移動度 ,  有機FET ,  ゲート電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ポリチオフェン ,  酸化化学蒸着(OCVD) ,  電界効果トランジスタ(FET) ,  モビリティ ,  有機半導体

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 酸化 ,  化学蒸着 ,  作製 ,  ポリチオフェン ,  電界効果トランジスタ ,  移動度