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J-GLOBAL ID：202002262323715179   整理番号：20A2239591

ポリイミド膜上(100)配向CWレーザ結晶化によるSi薄膜成長

Growth of Si Thin Films on Polyimide Substrates by the (100) CW-Laser Crystallization

著者 (7件)： 佐々木伸夫 (Sasaki Consulting) ,  佐々木伸夫 (奈良先端科学技術大学院大) ,  佐々木伸夫 (ブイ・テクノロジー) ,  ARIF Muhammad (奈良先端科学技術大学院大) ,  浦岡行治 (奈良先端科学技術大学院大) ,  後藤順 (ブイ・テクノロジー) ,  杉本重人 (ブイ・テクノロジー)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.15p-A305-3  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： (初めに)パルスレーザ結晶化に対しCWレーザ結晶化では、結晶粒がスキャン方向に大きく延び、より高移動度のTFTが実現されることが知られている。しかし、楕円型の線状ビームによるa-Si薄膜の1回スキャンCWレーザラテラル結晶化では、結晶粒界も...【本文一部表示】

シソーラス用語： *結晶化 ,  結晶成長 ,  結晶粒界 ,  低温 ,  *薄膜 ,  半導体薄膜 ,  *ケイ素 ,  結晶方位 ,  二酸化ケイ素 ,  レーザ照射 ,  *連続レーザ ,  結晶粒 ,  *薄膜成長 ,  三次元 ,  優先配向
準シソーラス用語： ガラス基板 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ポリイミド膜 ,  配向 ,  CWレーザ ,  結晶化 ,  Si薄膜 ,  成長