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J-GLOBAL ID：202002262737390826   整理番号：20A2216684

メモリスタメモリのための変動耐性,低電力,高耐久性読取方式【JST・京大機械翻訳】

Variation-tolerant, low-power, and high endurance read scheme for memristor memories

著者 (3件)： Ravi V. (School of Electronics Engineering, Vellore Institute of Technology, Chennai, India) ,  Chitra K. (School of Electronics Engineering, Vellore Institute of Technology, Chennai, India) ,  Prabaharan S. R. S. (SRM Research Institute, SRM Institute of Science and Technology, Kattankulathur, India)
資料名： Analog Integrated Circuits and Signal Processing  (Analog Integrated Circuits and Signal Processing)
巻： 105  号： 1  ページ： 83-98  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0439A  ISSN： 0925-1030  CODEN： AICPEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 抵抗状態を変えずにメムリスタメモリセルを読むことは,メムリスタベースのメモリ設計において対処すべき潜在的問題の一つである。本論文は,非破壊読取操作を達成する新しい読取方式を提示して,より少ない電力を消費して,高い耐久性を提供して,プロセス変動に基づいてそれ自身を適応させた。提案したスキームは,読取サイクルの後,メムリスタの状態を完全に検索するために必要なリフレッシュパルスの最適振幅と幅を得るために,ビルトイン自己同調回路を使用する。この方式は必要なときにだけリフレッシュパルスを使用するので,この方式は従来の固定パルス読取法と比較して平均電力の約50%を節約する。自己同調回路を,一般的で,正確で,効率的な「電圧閾値適応メモリスタ」モデルによって検証する。検証結果は,提案した同調回路が様々な読取外乱故障の下で最適リフレッシュパルスサイズを達成することを証明した。グラフ抽象;Copyright Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *記憶装置 ,  故障 ,  信頼性 ,  *電力 ,  記憶素子 ,  同調 ,  耐久性 ,  パルス
準シソーラス用語： プロセス変動 ,  低電力化 ,  *メモリスタ ,  非破壊読出し ,  セルフチューニング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： メモリスタ ,  耐久性 ,  変動耐性 ,  低電力 ,  信頼性

分類 (2件)： フィルタ一般  (NC04021I) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 耐性 ,  低電力 ,  高耐久性 ,  読取