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J-GLOBAL ID：202002262750070530   整理番号：20A2522550

Ar-HMDSO混合物における単一フィラメント誘電体障壁放電からのイオン膜堆積の証拠【JST・京大機械翻訳】

Evidence of ionic film deposition from single-filament dielectric barrier discharges in Ar-HMDSO mixtures

著者 (3件)： Brocker Lars (Institute for Surface Technology, IOT, Technische Universitaet Braunschweig, Braunschweig, Germany) ,  Perlick Gesa S. (Institute for Surface Technology, IOT, Technische Universitaet Braunschweig, Braunschweig, Germany) ,  Klages Claus-Peter (Institute for Surface Technology, IOT, Technische Universitaet Braunschweig, Braunschweig, Germany)
資料名： Plasma Processes and Polymers  (Plasma Processes and Polymers)
巻： 17  号： 11  ページ： e2000129  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1950A  ISSN： 1612-8850  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ar-HMDSO(Ar-ヘキサメチルジシロキサン)ガス混合物の短い滞留時間を大気圧,グロー型,単一フィラメント誘電体バリア放電で急速に流し,純粋イオン経路による薄膜堆積を達成した。一方,形状測定から得た薄膜体積の比較,一方では,移動電荷から,膜成長に寄与するイオンの質量を評価することができた。研究したモル分率のより低い端でのHMDSO画分では,Ar(1s)種によるPenningイオン化により単量体から発生した50ppm,ペンタメチルジシロキサニルカチオン(Me_3SiOSiMe_2+,PMDS+)は主に膜形成の原因である。1000ppmを超えるHMDSO画分では,PMDS+とHMDSO分子との反応によるイオン性オリゴマ化プロセスは,平均堆積イオン質量の2.5倍増加をもたらした。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *イオン ,  混合気体 ,  電荷 ,  薄膜 ,  Penningイオン化 ,  滞留時間 ,  単量体 ,  フィラメント ,  オリゴマ化 ,  薄膜成長 ,  蒸着 ,  *無声放電 ,  プラズマ重合
準シソーラス用語： 薄膜形成 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 大気圧グロー放電 ,  誘電体障壁放電 ,  ヘキサメチルジシロキサン ,  イオン蒸着 ,  プラズマ重合 ,  単一フィラメント

分類 (1件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

物質索引 (1件)： ヘキサメチルジシロキサン

タイトルに関連する用語 (7件)： Ar ,  混合物 ,  フィラメント ,  誘電体障壁放電 ,  イオン ,  堆積 ,  証拠