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J-GLOBAL ID：202002262818246114   整理番号：20A2568025

二重プラズマ源を用いた化学支援スパッタリングによるGaN膜成長における原子窒素/水素の役割【JST・京大機械翻訳】

Roles of Atomic Nitrogen/Hydrogen in GaN Film Growth by Chemically Assisted Sputtering with Dual Plasma Sources

著者 (14件)： Tanide Atsushi (Rakusei Operation Center, SCREEN Holdings Co., Ltd., Japan) ,  Nakamura Shohei (Rakusei Operation Center, SCREEN Holdings Co., Ltd., Japan) ,  Nakamura Shohei (Center for Low-Temperature Plasma Sciences, Nagoya University, Aichi, Japan) ,  Horikoshi Akira (Rakusei Operation Center, SCREEN Holdings Co., Ltd., Japan) ,  Takatsuji Shigeru (Rakusei Operation Center, SCREEN Holdings Co., Ltd., Japan) ,  Kimura Takahiro (Rakusei Operation Center, SCREEN Holdings Co., Ltd., Japan) ,  Kimura Takahiro (Center for Low-Temperature Plasma Sciences, Nagoya University, Aichi, Japan) ,  Kinose Kazuo (Rakusei Operation Center, SCREEN Holdings Co., Ltd., Japan) ,  Nadahara Soichi (Rakusei Operation Center, SCREEN Holdings Co., Ltd., Japan) ,  Nishikawa Masazumi (EMD Corp, Shiga, Japan) ,  Ebe Akinori (EMD Corp, Shiga, Japan) ,  Ishikawa Kenji (Center for Low-Temperature Plasma Sciences, Nagoya University, Aichi, Japan) ,  Oda Osamu (Center for Low-Temperature Plasma Sciences, Nagoya University, Aichi, Japan) ,  Hori Masaru (Center for Low-Temperature Plasma Sciences, Nagoya University, Aichi, Japan)
資料名： ACS Omega  (ACS Omega)
巻： 5  号： 41  ページ： 26776-26785  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5044A  ISSN： 2470-1343  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 次世代通信技術のための低コストGaN高電子移動度トランジスタデバイスの普及を実現するために,低温でスパッタしたGaNの成長が強く望まれる。本研究では,化学支援二重ソーススパッタリングによるAlN/サファイア基板上のGaN膜成長における原子窒素(N)/水素(H)の役割を,真空紫外吸収分光法を用いて2Paの圧力下,600°Cの低い成長温度で研究した。横方向成長は,約1μmh-1のGaN成長速度で1.9の適当なH/Nフラックス比によって強く増強された。X線光電子分光法測定は,原子水素による成長GaN表面からのN除去がGaの移動を促進することを示した。Arスパッタリングガスへの0.5%塩素添加で,適当なN/Ga供給比53とH/N比1.9で,滑らかなGaN表面を達成した。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 低温 ,  アルゴン ,  *ガリウム ,  *水素 ,  *窒素 ,  *プラズマ源 ,  窒化アルミニウム ,  *窒化ガリウム ,  *薄膜成長 ,  X線光電子分光法 ,  HEMT ,  成長速度 ,  原子状水素 ,  サファイア基板 ,  流量比

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (10件)： プラズマ源 ,  化学 ,  支援 ,  スパッタリング ,  GaN ,  膜成長 ,  原子 ,  窒素 ,  水素 ,  役割