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J-GLOBAL ID：202002262940720978   整理番号：20A0918888

局所場変調による再新鮮時間の535%増強による半浮動メモリ【JST・京大機械翻訳】

A Semi-Floating Memory with 535% Enhancement of Refresh Time by Local Field Modulation

著者 (8件)： Ding Yi (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, 200433, China) ,  Liu Lan (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, 200433, China) ,  Li Jiayi (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, 200433, China) ,  Cao Rongrong (Key Laboratory of Microelectronic Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100029, China) ,  Jiang Yu-Gang (School of Computer Science, Fudan University, Shanghai, 200433, China) ,  Liu Chunsen (School of Computer Science, Fudan University, Shanghai, 200433, China) ,  Liu Qi (Key Laboratory of Microelectronic Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100029, China) ,  Zhou Peng (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, 200433, China)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 30  号： 15  ページ： e1908089  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近提案されたセミフローティングゲートメモリ技術は,書込み速度とデータ蓄積の間の矛盾をバランスさせる可能性を示している。p-n接合の導入はデバイス書込み速度を大きく改善するが,必然的な接合漏れはデータ保持時間の更なる延長を制限する。二次元材料のキャリア密度を効率的に制御できるので,p-n接合の電荷漏れ速度を変調するために,強誘電体ゲート誘電体HfZrO_4の分極を利用することにより,局所的不揮発性電場を導入した。リフレッシュ時間は535%以上に大幅に延長され,以前のセミフローティングゲートメモリの比較的短い保持時間のボトルネック問題を解決した。さらに,低い動作電圧の下の装置の特性も調査して,それは更なる電力低減のために役に立つことができた。この設計は,超高速書込み操作と著しく強化されたデータ保持能力の組合せを実現し,高速不揮発性メモリ技術のための開発の新しいアイデアを提供する。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： PN接合 ,  *記憶装置 ,  強誘電体 ,  接合 ,  電荷 ,  電場 ,  データ蓄積 ,  保持時間 ,  キャリア密度 ,  不揮発性メモリ ,  非揮発性 ,  フローティングゲート ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *局所場 ,  動作電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 強誘電体 ,  ゲート誘電体 ,  局所場変調 ,  セミフローティングゲートメモリ ,  2D材料

分類 (2件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 局所場 ,  変調 ,  新鮮 ,  増強 ,  浮動