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J-GLOBAL ID:202002262949061898   整理番号:20A0337977

(SPT)により作製したインジウムドープ硫化カドミウム薄膜の物理的性質【JST・京大機械翻訳】

Physical Properties of indium doped Cadmium sulfide thin films prepared by (SPT)
著者 (7件):
資料名:
巻: 1294  号:ページ: 022008 (8pp)  発行年: 2019年 
JST資料番号: W5565A  ISSN: 1742-6588  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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種々の重量比(wt%)のインジウム(CdS:In)をドープした硫化カドミウムの種々の薄膜を,Spray熱分解法(SPT)によりガラス基板上に調製した。微細構造,トポグラフィー,および光学特性を研究した。純粋な膜とIn1%をドープした。得られた結果は,単結晶六方晶-立方相への成長を明らかにした。支配的反射は結晶サイズ47.55nmの方向(101)面にあり,Scherrer方程式を用いて計算した。Inの3%への増加は,結晶サイズが53.89nmの(101)面の方向における一般的な反射の存在により,構造が多結晶になる傾向がある。トポグラフィー測定は,ナノ構造の表面が1.99nmの高さと50~60nmの直径を有するロッドの形であることを示した。ロッド高さはドーピング重量比の増加と共に減少したが,ロッドの直径は増加した。光学的測定は,T%95からT%64へのドーピングの増加とともに,より低い透過率を示した。光学エネルギーギャップ値の減少を認めた。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
分類
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半導体薄膜 

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