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J-GLOBAL ID：202002263173310827   整理番号：20A2786907

機械的せん断応力に起因する(100)シリコンにおけるHall効果デバイスの高感度方向のドリフト【JST・京大機械翻訳】

Drift of the sensitive direction of Hall-effect devices in (100)-silicon caused by mechanical shear stress

著者 (4件)： Ausserlechner Udo (Infineon Technologies Austria AG, Siemensstrasse 2, A-9500 Villach, Austria) ,  Holliber Michael (Infineon Technologies Austria AG, Siemensstrasse 2, A-9500 Villach, Austria) ,  Kollmitzer Benjamin (Infineon Technologies Austria AG, Siemensstrasse 2, A-9500 Villach, Austria) ,  Heinz Richard (Infineon Technologies AG, Am Campeon 1-15, 85579 Neubiberg, Germany)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 174  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 従来のHall効果デバイスを3D空間における単一磁場成分に応答するように設計した。しかし,立方晶結晶中のプラスチックカプセル化Hall効果デバイスを,あまり明確で不安定な機械的せん断応力に曝すと,望ましくない垂直磁場成分の小さな部分は,Hall出力信号で現れる。数学的に,そのようなクロストークは機械的応力から生じ,磁場のパワーにおけるTaylor級数として表現できない。偶数電力はゼロ機械的応力でよく知られた平面Hall効果である。実際には,広く使われているスピニング電流方式によって排除されるので,偶数次数の電力は無関係である。本論文では,磁気クロストークの奇数電力とそれらのドリフト対機械的応力について述べた。この効果はHall板では小さいが,(100)シリコンでは垂直Hallデバイスで大きい。それはピエゾ抵抗と圧電Hallテンソルによって完全に記述される。数値シミュレーションと測定の結果を示した。薄いデバイスは厚いデバイスよりもあまり影響されない。磁気角センサが垂直Hallデバイスでできれば,面内せん断応力は小さな直交性誤差をもたらす。本論文は,そのような剪断応力誘起直交性誤差を除去する補償回路の基礎を築く。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *Hall効果 ,  磁場 ,  テンソル ,  電流 ,  プラスチック ,  電力 ,  圧電気 ,  *ドリフト ,  磁気 ,  スピニング加工 ,  立方晶系 ,  *剪断応力 ,  偶数 ,  クロストーク
準シソーラス用語： 数値シミュレーション , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (9件)： クロストーク ,  4点曲げ ,  磁気角度センサ ,  直交性誤差 ,  ピエゾHall効果 ,  ピエゾ抵抗 ,  せん断応力 ,  応力補償回路 ,  垂直Hallデバイス

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： せん断応力 ,  起因 ,  シリコン ,  Hall効果 ,  高感度 ,  ドリフト