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J-GLOBAL ID:202002263622949823   整理番号:20A1568884

p型GaNをn型に変換する螺旋転位:p-nダイオードにおけるMg凝縮と漏れ電流の微視的研究【JST・京大機械翻訳】

Screw dislocation that converts p-type GaN to n-type: Microscopic study on Mg condensation and leakage current in p-n diodes
著者 (12件):
資料名:
巻: 117  号:ページ: 012105-012105-5  発行年: 2020年 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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最近の実験は,貫通転位におけるMg凝縮が電流漏れを誘起し,GaNベースのパワーデバイスの劣化をもたらすことを示唆している。これを調べるために,種々のMgと転位錯体について第一原理全エネルギー電子構造計算を行った。ねじ転位(TSDs)が実際にMg不純物を誘引し,Mg不純物が転位線に近づくにつれて,転位により誘起されたエネルギーギャップの電子レベルが伝導バンドに向かって上昇し,Mg-TSD錯体がドナーであることを示した。Mg-TSD錯体の形成は,[0001]らせん転位の周りのMg凝縮がp-nダイオードで観察される原子プローブトモグラフィーによって明確に証明された。これらの発見は,GaN中のp型不純物であるMgがTSDに向かって拡散し,次に局所的にn型領域を形成するという描像を提供する。TSDに沿ったこの領域の出現はn-n接合の局所形成をもたらし,逆漏れ電流の増加をもたらす。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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