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J-GLOBAL ID：202002263626658676   整理番号：20A1484329

多孔質シリコン膜のマスクフリー直接パターン形成のためのレーザトレンチ法【JST・京大機械翻訳】

Laser Trench Method for Mask-Free Direct Patterning of Porous Silicon Films

著者 (2件)： Lin Jia-Chuan (Department of Electrical Engineering, National Taipei University, New Taipei City, Taiwan) ,  Jiang Tai-Lin (Department of Electrical Engineering, National Taipei University, New Taipei City, Taiwan)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 41  号： 7  ページ： 1074-1077  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トレンチ法に基づいたレーザ直接パターニング技術を,pnダイオード構造のn型Si層上に作製した多孔質Siデバイス形成用に初めて提案した。閉じた円筒表面であり,pn接合に達するのに十分な深さのモット状トレンチは,pnダイオードを内部部分と外側部分に分離する。実験結果は,パターン化した多孔質Siデバイスが,内部/外部部分のみに正確に実行できることを明瞭に示した。電解エッチング中にマスク,堆積,光源およびフォトリソグラフィープロセスを必要としない。本研究では,所望の領域での多孔質Siデバイスの直接パターニングの証拠とその関連する明確な多孔性構造を,走査電子顕微鏡とUV光ルミネセンス写真によって確かめた。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： PN接合 ,  光源 ,  紫外線 ,  走査電子顕微鏡 ,  ダイオード ,  ルミネセンス ,  円筒 ,  多孔性 ,  電解エッチング ,  *パターン形成 ,  *多孔質シリコン
準シソーラス用語： トレンチ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 多孔質 ,  シリコン膜 ,  マスク ,  パターン形成 ,  レーザ