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J-GLOBAL ID：202002263683337254   整理番号：20A1056879

MIS技術を用いたMBE n-HgCdTeの表面近傍層の電気的性質に及ぼす熱アニーリングの影響の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation of the Effect of Thermal Annealing on the Electrical Properties of the Near-Surface Layer of MBE n-HgCdTe Using MIS Techniques

著者 (10件)： Voitsekhovskii A. V. (National Research Tomsk State University, Tomsk, Russia) ,  Nesmelov S. N. (National Research Tomsk State University, Tomsk, Russia) ,  Dzyadukh S. M. (National Research Tomsk State University, Tomsk, Russia) ,  Varavin V. S. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, Novosibirsk, Russia) ,  Dvoretsky S. A. (National Research Tomsk State University, Tomsk, Russia) ,  Dvoretsky S. A. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, Novosibirsk, Russia) ,  Mikhailov N. N. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, Novosibirsk, Russia) ,  Sidorov G. Y. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, Novosibirsk, Russia) ,  Yakushev M. V. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, Novosibirsk, Russia) ,  Marin D. V. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, Novosibirsk, Russia)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 49  号： 5  ページ： 3202-3208  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面近傍に傾斜したギャップ層を持つヘテロエピタキシャルN-Hg_0.78cd_0.22Te膜を分子線エピタクシーにより成長させ,飽和水銀蒸気雰囲気中で二段階熱アニーリングを行った。アニーリングの第一段階は360°Cの温度で2時間行った。第二段階は220°Cの温度で24時間行った。As+イオン注入後に同様のアニーリングを行い,導入不純物とアニール放射欠陥を活性化した。成長したままとアニールした膜に基づいて,プラズマ原子層蒸着によってAl_2O_3誘電体を堆積することによって,金属-絶縁体-半導体(MIS)構造を形成した。作製したMIS構造のアドミッタンスを広範囲の周波数と温度で調べた。熱アニーリング後に,n-HgCdTe表面層の性質は著しく変化し,誘電と半導体間の遷移層の遅い状態密度の減少と,n-HgCdTe表面近傍層の少数電荷キャリアの発生の増加として現れることが分かった。熱アニーリング後のn-HgCdTeの性質におけるこれらの変化は,半導体の表面近傍層と誘電体と半導体の間の遷移層の欠陥系の修正と関連している。熱アニーリング後のエピタキシャル膜のバルク特性に有意な変化は検出されなかった。熱アニーリング中のHgCdTeとAl_2O_3の間の界面近傍の状態密度の減少は,ヒステリシス現象を抑制することによりMIS構造の電気的特性化を容易にすることを可能にする。Copyright The Minerals, Metals & Materials Society 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： MIS構造 ,  プラズマ ,  *焼なまし ,  半導体 ,  不純物 ,  誘電体 ,  *電気的性質 ,  イオン注入 ,  表層 ,  MBE成長 ,  *テルル化カドミウム水銀 ,  絶縁体
準シソーラス用語： アドミタンス ,  電荷キャリア ,  *熱アニーリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 水銀カドミウムテルリド ,  分子ビームエピタクシー ,  熱アニーリング ,  傾斜ギャップ層 ,  アドミタンス

分類 (2件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (6件)： MIS ,  MBE ,  HgCdTe ,  電気的性質 ,  熱アニーリング ,  研究