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J-GLOBAL ID：202002263742408332   整理番号：20A0528499

薄い硫化インジウム層を用いたCu(In,Ga)Se_2光起電力吸収体の表面不動態化【JST・京大機械翻訳】

Surface passivation of a Cu(In,Ga)Se₂ photovoltaic absorber using a thin indium sulfide layer

著者 (5件)： Moon Doohyung (School of Chemical Engineering, Yeungnam University, 280 Daehak-ro, Gyeongsan 38541, Republic of Korea) ,  Gedi Sreedevi (School of Chemical Engineering, Yeungnam University, 280 Daehak-ro, Gyeongsan 38541, Republic of Korea) ,  Alhammadi Salh (School of Chemical Engineering, Yeungnam University, 280 Daehak-ro, Gyeongsan 38541, Republic of Korea) ,  Minnam Reddy Vasudeva Reddy (School of Chemical Engineering, Yeungnam University, 280 Daehak-ro, Gyeongsan 38541, Republic of Korea) ,  Kim Woo Kyoung (School of Chemical Engineering, Yeungnam University, 280 Daehak-ro, Gyeongsan 38541, Republic of Korea)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 510  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は,薄いIn_2S_3層を用いたCu(In,Ga)Se_2(CIGS)光起電力吸収体の表面不動態化とCIGS素子の性能に及ぼすその効果を実証した。金属前駆体(2段階)と3段階共蒸発(3段階)の従来のセレン化により調製した異なる表面粗さ値をもつ2種類のCIGS試料を用いて,CIGS表面粗さに及ぼすIn_2S_3表面不動態化の影響を決定し,CIGSとバッファ層の界面での再結合を最小化した。3つのタイプのバッファ層,すなわち,In_2S_3,CdS単一層,およびIn_2S_3/CdS二重層を,裸およびMo被覆基板上に,またガラス/Mo/CIGSサンプル上に化学浴堆積によって調製した。調製したバッファ層の相形成と特性をXRD,Raman,UV-Vis-NIR法により分析した。CIGS太陽電池の電力変換効率は,In_2S_3で不動態化されたとき,2段階処理CIGS(6.97%から9.89%まで)とわずかに3段階処理CIGS(10.1%から11.0%まで)に対して有意に強化された。さらに,In_2S_3表面不動態化2ステップと3段階処理CIGSデバイスの両方は,400~550nmの波長範囲で高い量子効率を示した。したがって,In_2S_3による表面不動態化は,CIGSデバイスの性能を改善することができた。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ガラス ,  前駆体 ,  *不動態化 ,  被覆 ,  *吸収体 ,  量子効率 ,  硫化カドミウム ,  単一層 ,  モリブデン ,  バッファ層 ,  黄銅鉱 ,  再結合 ,  蒸発 ,  界面 ,  *光起電力

著者キーワード (6件)： 黄銅鉱 ,  表面不動態化 ,  硫化インジウム ,  ハイブリッドバッファ ,  ダブルバッファ ,  Cu(Ga)Se_2

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 硫化インジウム ,  Cu ,  Ga ,  光起電力 ,  吸収体 ,  表面不動態化