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J-GLOBAL ID：202002263742494758   整理番号：20A1884797

layer-by-layer法により集合した単層CdSナノ粒子の分光偏光解析法【JST・京大機械翻訳】

Spectroscopic ellipsometry of monolayered CdS nanoparticles assembled by layer-by-layer method

著者 (4件)： Shim YongGu (Department of Physics and Electronics, Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture University, Gakuen-cho 1-1, Nakaku, Sakai, Osaka 599-8531, Japan) ,  Kitano Atsushi (Department of Physics and Electronics, Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture University, Gakuen-cho 1-1, Nakaku, Sakai, Osaka 599-8531, Japan) ,  Wakita Kazuki (Department of Electrical, Electronics and Computer Engineering, Chiba Institute of Technology, 2-17-1 Tsudanuma, Narashino 275-0016, Japan) ,  Kim DaeGwi (Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Osaka City University, 3-3-138 Sugimoto, Sumiyoshi-ku, Osaka 558-8585, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 128  号： 7  ページ： 075303-075303-7  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体ナノ粒子(NP)は人工固体の構成要素としての使用に魅力的である。さらに,層ごとの(LbL)法は,NPsを精密に配列し,積層することを可能にし,NPに基づく人工固体とデバイスの基礎研究と開発のために広く探索されている。本研究では,LbL法により堆積した単層半導体NPの誘電関数の絶対値を決定した。目的は,NPから成る単層膜の厚み,NP体積密度およびNP数密度のような構造パラメータを測定することであった。分光偏光解析法に基づく新しい完全光学法を用いて,LbL法により堆積した単層CdS NPから成る薄膜を評価した。精度を有する上記リストパラメータに基づく単層膜として堆積したCdS NPの誘電関数の絶対値を成功裏に決定することができた。このように,単層半導体NPの光学定数ならびにそれらの構造情報を,提案した方法を用いて得ることができ,半導体NPのそれらを含む薄膜のパラメータを非破壊的に決定するために非常に適している。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 薄膜 ,  半導体 ,  *硫化カドミウム ,  光学定数 ,  誘電関数 ,  単一層 ,  構造パラメータ ,  絶対値 ,  数密度
準シソーラス用語： *分光偏光解析法 ,  単層膜 ,  半導体ナノ粒子 ,  硫化カドミウムナノ粒子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 集合 ,  単層 ,  CdSナノ粒子 ,  分光偏光解析法