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J-GLOBAL ID:202002264151344331   整理番号:20A2645854

水平勾配凍結法により成長させたε-InSe単結晶【JST・京大機械翻訳】

ε-InSe single crystals grown by a horizontal gradient freeze method
著者 (7件):
資料名:
巻: 22  号: 45  ページ: 7864-7869  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2462A  ISSN: 1466-8033  CODEN: CRECF4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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セレン化インジウム(InSe)単結晶は,将来の光学的,電気的および光電子デバイス応用の有望な候補であると考えられている。特に,その2H積層と非中心対称特性のため,ε-InSeは第二高調波発生に対して非常に望ましい。しかし,その複雑な相図,元素の高い化学活性,および大きな形成エネルギーのため,ε-InSeの単相結晶成長は,依然として課題のままである。本研究では,X線回折(XRD)と透過型電子顕微鏡(TEM)の両方によって高品質結晶性を確認した初めて,InSe単結晶を作製するために水平勾配凍結(HGF)法を用いて著者らの努力を示した。さらに,この単結晶をε-InSeと同定するために,光ルミネセンス,Raman分光法および赤外吸収データをさらに組み合わせた。最後に,厚さ依存第二高調波発生(SHG)測定を,著者らの少数層InSeサンプルについて行い,その結果は,非線形光学に対する有望な応用を示した。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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半導体の結晶成長 
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