文献

J-GLOBAL ID：202002264782222251   整理番号：20A2739024

有機金属気相エピタクシーで成長させた高品質AlInN/GaN分布Bragg反射器

High-quality AlInN/GaN distributed Bragg reflectors grown by metalorganic vapor phase epitaxy

著者 (13件)： Akagi Takanobu (R&D Laboratories, Stanley Electric Co., Ltd., Yokohama 225-0014, Japan) ,  Akagi Takanobu (Faculty of Science and Technology, Meijo University, Nagoya 468-8502, Japan) ,  Kozuka Yugo (Faculty of Science and Technology, Meijo University, Nagoya 468-8502, Japan) ,  Ikeyama Kazuki (Faculty of Science and Technology, Meijo University, Nagoya 468-8502, Japan) ,  Iwayama Sho (Faculty of Science and Technology, Meijo University, Nagoya 468-8502, Japan) ,  Kuramoto Masaru (R&D Laboratories, Stanley Electric Co., Ltd., Yokohama 225-0014, Japan) ,  Saito Tatsuma (R&D Laboratories, Stanley Electric Co., Ltd., Yokohama 225-0014, Japan) ,  Tanaka Takayuki (Faculty of Science and Technology, Meijo University, Nagoya 468-8502, Japan) ,  Takeuchi Tetsuya (Faculty of Science and Technology, Meijo University, Nagoya 468-8502, Japan) ,  Kamiyama Satoshi (Faculty of Science and Technology, Meijo University, Nagoya 468-8502, Japan) ,  Iwaya Motoaki (Faculty of Science and Technology, Meijo University, Nagoya 468-8502, Japan) ,  Akasaki Isamu (Faculty of Science and Technology, Meijo University, Nagoya 468-8502, Japan) ,  Akasaki Isamu (Graduate School of Engineering and Akasaki Research Center, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 13  号： 12  ページ： 125504 (5pp)  発行年： 2020年12月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlInN層(500nmh^-1)の高い成長速度を有する高品質40対のAlInN/GaN分布Bragg反射器を作成し,低成長温度でAlInN層上に成長した0.3nmのGaNキャップ層を用いて,ほとんど貫通転位がなく,413nmで99.9%のピーク反射率を示した。また,通常使用される5~10nmのGaNキャップ層の場合において,底面AlInNとトップGaNの間の界面で発生する貫通転位を見出した。AlInN表面上の過剰In原子は貫通転位の発生を引き起こすと思われる。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： MOCVD ,  品質 ,  *アルミニウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  *窒化物 ,  *窒化アルミニウム ,  *反射器 ,  *反射鏡 ,  成長速度 ,  保護膜 ,  貫通転位 ,  反射率 ,  界面 ,  過剰成分
準シソーラス用語： 有機金属気相エピタキシー ,  高品質 ,  *窒化アルミニウムインジウム ,  *Bragg反射器 ,  キャップ層 ,  ヘテロ接合界面

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  その他の光デバイス  (BD06060O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 有機金属気相エピタクシー ,  成長 ,  高品質 ,  GaN ,  分布Bragg反射器