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J-GLOBAL ID：202002264923432793   整理番号：20A0900122

Al-Zn-O薄膜トランジスタの電気的性能と安定性に及ぼすポストアニーリングプロセスの影響【JST・京大機械翻訳】

The Effects of Post Annealing Process on the Electrical Performance and Stability of Al-Zn-O Thin-Film Transistors

著者 (7件)： Zhou Xiaobin (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Han Dedong (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Dong Junchen (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Li Huijin (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Yi Zhuang (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Zhang Xing (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Wang Yi (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 41  号： 4  ページ： 569-572  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,アルミニウム-亜鉛-酸化物(AZO)薄膜トランジスタ(TFT)の電気的性能と正バイアス安定性(PBS)に及ぼすポストアニーリングプロセスの影響を研究した。全てのデバイスの中で,真空雰囲気中でアニールしたTFTは,45.90cm~2/Vsの飽和移動度(μ_すわった),263mV/10年の急峻なサブ閾値スイング,7.56×108の高いI_ON/I_OFF比,優れた膜品質のため,優れたI-V特性を示した。さらに,正バイアス(+5V,2000s)下で異なる雰囲気中でアニールしたTFTの正のバイアス安定性も伝達した。閾値電圧シフト(ΔV_th)は0.3V(混合ガス,Ar:O_2=3:3),0.9V(真空),1.0V(O_2)であった。これらの結果はAZO膜のO_II/O_totalによって説明できる。混合ガス(Ar:O_2=3:3)中でアニールしたAZO膜は最小の酸素空孔密度を有し,正バイアス下で最小のΔV_thをもたらした。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  混合気体 ,  酸化物 ,  *薄膜トランジスタ ,  電流電圧特性 ,  バイアス
準シソーラス用語： 酸素空格子点 ,  閾値電圧シフト ,  *ポストアニーリング ,  サブ閾値スイング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： Al ,  Zn ,  薄膜トランジスタ ,  安定性 ,  ポストアニーリング ,  プロセス