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J-GLOBAL ID：202002264986222786   整理番号：20A2039146

Si-SiO_2界面における応力の理解と制御【JST・京大機械翻訳】

Understanding and Control of Stress at Si-SiO₂ Interface

著者 (6件)： Kropman Daniel (University of Tartu, Tartu Estonia W. Ostwaldi tn 1) ,  Seeman Viktor (University of Tartu, Tartu Estonia W. Ostwaldi tn 1) ,  Medvids Arturs (Riga Technical University, Institute of Technical Physics Faculty of Materials Science and Applied Chemistry Riga Latvia P. Valdena 3/7) ,  Onufrijevs Pavels (Riga Technical University, Institute of Technical Physics Faculty of Materials Science and Applied Chemistry Riga Latvia P. Valdena 3/7) ,  Vitusevich Svetlana (Bioelectronics (ICS-8), Forschungszentrum Juelich, Juelich Germany) ,  Mikli Valdek (Tallinn University of Technology, Department of Materials and Environmental Technology Tallinn Estonia)
資料名： Key Engineering Materials  (Key Engineering Materials)
巻： 850  ページ： 291-296  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0744C  ISSN： 1013-9826  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,金属酸化物半導体(MOS)構造の電子常磁性共鳴(EPR)スペクトル,走査電子顕微鏡(SEM)画像技術,偏向解析,X線光電子分光法(XPS),およびC-Vキャラクタリゼーションを用いて,Si-SiO_2界面での応力緩和の研究の結果を示した。EPR,XPS,C-V,および偏向データに基づいて,応力緩和の機構が酸化条件,すなわち温度,冷却速度および酸化物厚さに依存することが示された。Si-SiO_2-Si_3N_4系では,SiO_2とSi_3N_4材料の熱膨張係数の違いにより応力緩和が生じた。酸化条件の適切な選択により,SiO_2中の圧縮応力とSi中の引張応力はほとんど等しく,応力は界面でかなり減少する。Copyright 2020 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ESR【磁気共鳴】 ,  応力緩和 ,  *界面 ,  酸化 ,  走査電子顕微鏡 ,  *ケイ素 ,  酸化物 ,  スペクトル ,  冷却速度 ,  偏向 ,  熱膨張係数 ,  引張応力 ,  圧縮応力 ,  X線光電子分光法
準シソーラス用語： *一酸化ケイ素 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： EPR ,  応力緩和 ,  Si-SiO_2界面 ,  SEM

分類 (5件)： 金属系複合材料一般  (WE04010V) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  界面 ,  応力 ,  理解