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J-GLOBAL ID：202002265221239213   整理番号：20A1250353

自己伝搬高温合成法を用いたAl_4SiC_4の迅速作製【JST・京大機械翻訳】

Rapid fabrication of Al₄SiC₄ using a self-propagating high-temperature synthesis method

著者 (4件)： Nakashima Yuki (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Anagahora, Shimo-Shidami, Moriyama-ku, Nagoya, 463-8560, Japan) ,  Kamiya Ryosuke (Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya, 466-8555, Japan) ,  Hyuga Hideki (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Anagahora, Shimo-Shidami, Moriyama-ku, Nagoya, 463-8560, Japan) ,  Hashimoto Shinobu (Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya, 466-8555, Japan)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 46  号： 11 PB  ページ： 19228-19231  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有望な高温セラミックとして,アルミニウム炭化ケイ素(Al_4SiC_4)は多くの注目を集めている。Al_4SiC_4は通常,電気炉中で長い反応時間で高温で合成される。自己伝搬高温合成(SHS)は迅速合成のための有望な技術である。本研究では,Al_4SiC_4を,発熱促進剤としてポリ(テトラフルオロエチレン)(PTFE)の添加により,ケイ素,アルミニウムおよびカーボンブラックの混合物からSHS法により調製した。実験結果は,高圧Ar雰囲気の使用がペレット混合物中の気体材料を保持でき,PTFE添加剤が炭化ケイ素の形成を促進することを示した。さらに,シリコン粒子の表面に存在する酸化物層は,シリコンと炭素の間の反応を阻害した。結果として,高純度Al_4SiC_4は,SHS法により,1.0MPa Ar雰囲気下で,15wt%PTFEを用いて,アルミニウム,シリコン,およびカーボンブラックから合成することができた。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 高圧 ,  *高温 ,  セラミック ,  *アルミニウム ,  ケイ素 ,  炭素 ,  電気炉 ,  ペレット ,  炭化ケイ素 ,  カーボンブラック ,  ポリテトラフルオロエチレン ,  粉体工学 ,  発熱 ,  燃焼合成 ,  *SHS【合成】

著者キーワード (5件)： 自己伝搬高温合成 ,  Al_4SiC_4 ,  セラミックス ,  燃焼合成 ,  粉体技術

分類 (1件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (2件)： 自己伝搬高温合成 ,  作製