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J-GLOBAL ID：202002265365594746   整理番号：20A2238276

強誘電体ゲート酸化物チャネル薄膜トランジスタとメモリ応用

Oxide-channel ferroelectric-gate transistors and their memory applications

著者 (1件)： 徳光永輔 (北陸先端科学技術大学院大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.14a-A401-1  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに-歴史的背景-】 強誘電体をゲート絶縁膜に用いた電界効果型トランジスタは、強誘電体ゲートトランジスタ、FeFETなどと呼ばれ、その提案は1957年に遡る[1]。まだMOSFETが一般的ではない時代に発案されたことに驚きを覚える。最...【本文一部表示】

シソーラス用語： *記憶装置 ,  *強誘電体 ,  電圧 ,  電荷 ,  *トランジスタ ,  半導体 ,  記憶素子 ,  MOSFET ,  *薄膜トランジスタ ,  強誘電性 ,  キャリア密度 ,  不揮発性メモリ ,  バッファ層 ,  残留分極 ,  ゲート絶縁膜

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 強誘電体 ,  ゲート酸化物 ,  チャネル ,  薄膜トランジスタ ,  応用