ドナー層の部分置換により誘起されたκ-(BEDT-TTF)<sub>2</sub>Cu[N(CN)<sub>2</sub>]Brの電子熱容量の変化

YESIL Emre; IMAJO Shusaku; NOMOTO Tetsuya; YAMASHITA Satoshi; AKUTSU Hiroki; NAKAZAWA Yasuhiro

文献

J-GLOBAL ID：202002265445543809 整理番号：20A1531624

ドナー層の部分置換により誘起されたκ-(BEDT-TTF)₂Cu[N(CN)₂]Brの電子熱容量の変化

Variation of Electronic Heat Capacity of κ-(BEDT-TTF)₂Cu[N(CN)₂]Br Induced by Partial Substitution of Donor Layers

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著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
巻： 89 号： 7 ページ： 073701.1-073701.5 発行年： 2020年07月15日
JST資料番号： G0509A ISSN： 0031-9015 CODEN： JUPSA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

κ-(BEDT-TTF)₂Cu[N(CN)₂]Brのドナー分子の5%がBEDSe-TTF分子により置換された有機超伝導体κ-[(BEDT-TTF)_0.95(BEDSe-TTF)_0.05]₂Cu[N(CN)₂]BrBrの低温熱力学的性質を報告した。遷移状態電子熱容量係数γ_Nは,転移温度と熱容量ジャンプの大きさが減少するにもかかわらず,元のκ-(BEDT-TTF)₂Cu[N(CN)₂]Brから28 mJ K^-2 mol^-1までほぼ20%増加することを観測した。熱力学的パラメータの変化は,元のκ-(BEDT-TTF)₂Cu[N(CN)₂]Brにおける強い相関によるギャップ様特徴が抑制されることを示した。電子熱容量のピーク形状の解析から,低エネルギー励起は置換による筒所の乱れに影響されるが,超伝導の強い結合対合は保持される。(翻訳著者抄録)

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有機物系超伝導体の物性

引用文献 (38件)：

A. M. Kini, U. Geiser, H. H. Wang, K. D. Carlson, J. M. Williams, W. K. Kwok, K. G. Vandervoort, J. E. Thompson, D. L. Stupka, D. Jung, and M.-H. Whangbo, Inorg. Chem. 29, 2555 (1990).
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ドナー層の部分置換により誘起されたκ-(BEDT-TTF)2Cu[N(CN)2]Brの電子熱容量の変化

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