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J-GLOBAL ID：202002266297817204   整理番号：20A2624223

無接合ゲートオールアラウンド電界効果トランジスタのためのシリコンとIII-Vチャネル材料の性能解析【JST・京大機械翻訳】

Performance Analysis of Silicon and III-V Channel Material for Junctionless-Gate-All-Around Field Effect Transistor

著者 (5件)： Rasol M. F. M. (Faculty of Engineering Universiti Teknologi Malaysia,School of Electrical Engineering,UTM Johor Bahru,Malaysia,81310) ,  Hamid F. K. A. (Faculty of Engineering Universiti Teknologi Malaysia,School of Electrical Engineering,UTM Johor Bahru,Malaysia,81310) ,  Johari Zaharah (Faculty of Engineering Universiti Teknologi Malaysia,School of Electrical Engineering,UTM Johor Bahru,Malaysia,81310) ,  Arsat Rashidah (Faculty of Engineering Universiti Teknologi Malaysia,School of Electrical Engineering,UTM Johor Bahru,Malaysia,81310) ,  Yusoff M.F.M. (Faculty of Engineering Universiti Teknologi Malaysia,School of Electrical Engineering,UTM Johor Bahru,Malaysia,81310)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： SCOReD  ページ： 1-5  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Mooreの法則時代を超えたデバイス寸法のスケーリングは,新しい材料とデバイスアーキテクチャの使用を導入した。本論文では,短チャネル効果(SCE)を克服するための代替アプローチとして,シリコンとIII-V接合レスゲートオールアラウンド(JGAA)トランジスタ間の比較研究を報告する。装置はTCAD Sentaurusを用いてシミュレートし,特性化した。適用したIII-V半導体チャネル材料は,Gallium Nitite(GaN)とGallium Arsenide(GaAs)である。デバイスの電気的性能を,電流-電圧特性から抽出した閾値電圧(V_th),サブ閾値勾配(SS),ドレイン電流(I_on)および漏れ電流(I_off)に関して比較した。結果は,将来のナノエレクトロニクス応用のための非シリコン材料を用いた先進デバイスアーキテクチャの使用の実現可能性を示した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *トランジスタ ,  半導体 ,  *ケイ素 ,  *FET【トランジスタ】 ,  電流電圧特性 ,  漏れ電流 ,  計算機アーキテクチャ ,  *性能分析 ,  短チャネル効果
準シソーラス用語： ナノエレクトロニクス ,  閾値電圧 ,  ドレイン電流 ,  TCAD ,  Mooreの法則 ,  *ゲートオールアラウンド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： ゲートオールアラウンド ,  電界効果トランジスタ ,  シリコン ,  チャネル材 ,  性能解析