Jia Hui について
Department of Electronic and Electrical Engineering, University College London, Torrington Place, London WC1E 7JE, United Kingdom について
Jurczak Pamela について
Department of Electronic and Electrical Engineering, University College London, Torrington Place, London WC1E 7JE, United Kingdom について
Yang Junjie について
Department of Electronic and Electrical Engineering, University College London, Torrington Place, London WC1E 7JE, United Kingdom について
Tang Mingchu について
Department of Electronic and Electrical Engineering, University College London, Torrington Place, London WC1E 7JE, United Kingdom について
Li Keshuang について
Department of Electronic and Electrical Engineering, University College London, Torrington Place, London WC1E 7JE, United Kingdom について
Deng Huiwen について
Department of Electronic and Electrical Engineering, University College London, Torrington Place, London WC1E 7JE, United Kingdom について
Dang Manyu について
Department of Electronic and Electrical Engineering, University College London, Torrington Place, London WC1E 7JE, United Kingdom について
Chen Siming について
Department of Electronic and Electrical Engineering, University College London, Torrington Place, London WC1E 7JE, United Kingdom について
Liu Huiyun について
Department of Electronic and Electrical Engineering, University College London, Torrington Place, London WC1E 7JE, United Kingdom について
Journal of Physics. D. Applied Physics について
焼なまし について
半導体レーザ について
ゲルマニウム について
スズ について
正方晶系 について
MBE成長 について
活性層 について
原子間力顕微鏡 について
バッファ層 について
格子整合 について
歪緩和 について
圧縮歪 について
結晶品質 について
表面形態 について
直接バンドギャップ について
半導体薄膜 について
MBE成長 について
歪 について
組成 について
アニーリング について