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J-GLOBAL ID：202002266317875764   整理番号：20A2448518

MBE成長GeSnの歪と組成に及ぼすex-situアニーリングの影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of ex-situ annealing on strain and composition of MBE grown GeSn

著者 (9件)： Jia Hui (Department of Electronic and Electrical Engineering, University College London, Torrington Place, London WC1E 7JE, United Kingdom) ,  Jurczak Pamela (Department of Electronic and Electrical Engineering, University College London, Torrington Place, London WC1E 7JE, United Kingdom) ,  Yang Junjie (Department of Electronic and Electrical Engineering, University College London, Torrington Place, London WC1E 7JE, United Kingdom) ,  Tang Mingchu (Department of Electronic and Electrical Engineering, University College London, Torrington Place, London WC1E 7JE, United Kingdom) ,  Li Keshuang (Department of Electronic and Electrical Engineering, University College London, Torrington Place, London WC1E 7JE, United Kingdom) ,  Deng Huiwen (Department of Electronic and Electrical Engineering, University College London, Torrington Place, London WC1E 7JE, United Kingdom) ,  Dang Manyu (Department of Electronic and Electrical Engineering, University College London, Torrington Place, London WC1E 7JE, United Kingdom) ,  Chen Siming (Department of Electronic and Electrical Engineering, University College London, Torrington Place, London WC1E 7JE, United Kingdom) ,  Liu Huiyun (Department of Electronic and Electrical Engineering, University College London, Torrington Place, London WC1E 7JE, United Kingdom)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 53  号： 48  ページ： 485104 (8pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GeSnの応用は,Sn組成と歪操作によるバンドエンジニアリングのおかげで半導体レーザに拡張される。しかし,歪工学法の一つとして,熱焼鈍は,熱不安定性のため,まだ広く採用されていない。GeSnの熱安定性は,初期材料条件に非常に敏感であり,従って,種々の目的で,徹底的に調査が要求されている。ここでは,分子線エピタキシーによりGeバッファSi(001)基板上に成長した公称8%Snを有する厚いGeSn層の熱アニーリング効果に関する詳細な調査を示した。原子間力顕微鏡と高分解能X線回折を用いて,GeSn表面形態の変化とアニーリング後の歪緩和を追跡した。GeSn中の正方晶圧縮歪は,直接バンドギャップ材料の実現に証明されるが,結晶品質,例えば適切なアニーリング条件による表面粗さの低減によって,90%まで緩和できることを確認した。これらの知見から,アニールされたGeSnが,厚いGeまたは組成傾斜(Si)GeSnバッファ層と比較して,GeSnをはるかに薄く(750nm),GeSn活性層に良好に格子整合し,GeSnを成長させるための高度に歪緩和されたプラットフォームに,成長手順で複雑で時間がかかり,また,より容易な方法を確保するために,GeSnを成長させる可能性が明らかになった。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *焼なまし ,  半導体レーザ ,  *ゲルマニウム ,  *スズ ,  正方晶系 ,  *MBE成長 ,  活性層 ,  原子間力顕微鏡 ,  バッファ層 ,  格子整合
準シソーラス用語： 歪緩和 ,  圧縮歪 ,  結晶品質 ,  表面形態 ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： MBE成長 ,  歪 ,  組成 ,  アニーリング