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J-GLOBAL ID：202002266393464458   整理番号：20A2392471

YBa_2Cu_3O_7三相ナノ複合材料膜におけるハイブリッドピン止めによる高J_cと抑制J_c異方性の同時達成【JST・京大機械翻訳】

Simultaneous achievement of high J_c and suppressed J_c anisotropy by hybrid pinning in YBa₂Cu₃O₇ three-phase-nanocomposite film

著者 (6件)： Horide Tomoya ( Department of Materials Science and Engineering, Kyushu Institute of Technology, 1-1 Sensui-cho, Tobata-ku, Kitakyushu 804-8550 Japan) ,  Torigoe Kenta ( Department of Materials Science and Engineering, Kyushu Institute of Technology, 1-1 Sensui-cho, Tobata-ku, Kitakyushu 804-8550 Japan) ,  Ishimaru Manabu ( Department of Materials Science and Engineering, Kyushu Institute of Technology, 1-1 Sensui-cho, Tobata-ku, Kitakyushu 804-8550 Japan) ,  Kita Ryusuke ( Graduate School of Integrated Science and Technology, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu 432-8561 Japan) ,  Awaji Satoshi ( Institute for Materials Research, Tohoku University, 2-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577 Japan) ,  Matsumoto Kaname ( Department of Materials Science and Engineering, Kyushu Institute of Technology, 1-1 Sensui-cho, Tobata-ku, Kitakyushu 804-8550 Japan)
資料名： Superconductor Science and Technology  (Superconductor Science and Technology)
巻： 33  号： 10  ページ： 105003 (8pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： T0607A  ISSN： 0953-2048  CODEN： SUSTEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノスケールピン止め中心をYBa_2Cu_3O_7(YBCO)膜とテープに導入し,被覆導体応用に対する渦ピン止めと臨界電流密度(J_c)を改善した。単一型のピン止め中心を持つピン止めは,主に調査されたが,多重タイプのピン止め中心を有するハイブリッドピン止めは,高いJ_c値を同時に達成して,J_c異方性を抑制するのに,より有望であると予想される。本研究では,YBCOマトリックス,BaHfO_3ナノロッドおよびY-Oナノ粒子から成る3相ナノ複合材料膜を作製した。4.2Kで1.57TNm-3の大域的ピン止め力最大値(F_p,max,F_p=J_cB)は,F_p,maxの記録レベルと同様に高く,BaHfO_3ナノロッドとY-Oナノ粒子のハイブリッドピン止めによって達成された。さらに,ハイブリッドピン止めはJ_cの角度依存性を改善した。ナノ粒子からのピン止め寄与は温度低下と共に増加し,これは低温で高いJ_cを説明できた。したがって,本研究は,J_c異方性とJ_cの記録レベルを同時に達成することができる非常に効果的な構造を実証することに成功した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 異方性 ,  低温 ,  多重化 ,  角度依存性 ,  *ピン止め ,  ナノ複合材料 ,  イットリウムバリウム銅酸化物 ,  臨界電流密度 ,  ナノ粒子 ,  ナノロッド ,  ナノスケール ,  温度低下 ,  被覆導体
準シソーラス用語： ピン止め中心 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 三相 ,  複合材料膜 ,  ピン止め ,  異方性