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J-GLOBAL ID：202002266991447540   整理番号：20A2707308

4H-SiCおよび6H-SiC基板のスクラッチングにおける材料除去の分子動力学シミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Molecular dynamics simulation of the material removal in the scratching of 4H-SiC and 6H-SiC substrates

著者 (4件)： Tian Zige ( Institute of Manufacturing Engineering, Huaqiao University, Xiamen, Fujian Province, People’s Republic of China) ,  Tian Zige ( Faculty of Engineering and Technology, Liverpool John Moores University, Liverpool, United Kingdom) ,  Chen Xun ( Faculty of Engineering and Technology, Liverpool John Moores University, Liverpool, United Kingdom) ,  Xu Xipeng ( Institute of Manufacturing Engineering, Huaqiao University, Xiamen, Fujian Province, People’s Republic of China)
資料名： International Journal of Extreme Manufacturing  (International Journal of Extreme Manufacturing)
巻： 2  号： 4  ページ： 045104 (15pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5579A  ISSN： 2631-7990  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単結晶炭化ケイ素(SiC)は,オプトエレクトロニクス用途に広く使用されている。単結晶材料の異方性特性のために,単結晶SiCのC面とSi面は,異なる物理的性質を持ち,それは特定の応用目的に適合する。本論文では,分子動力学シミュレーションを用いて,4H-SiCおよび6H-SiC材料のC面およびSi面に関する一連のスクラッチ試験における材料除去および関連する表面下欠陥の研究を報告した。調査から,試料材料変形は塑性,非晶質変態および転位すべりから成り,脆性分裂を起こしやすいことが明らかになった。その結果,C面の材料除去はSi面よりも非晶質変形が少ないことが分かった。スクラッチにおけるこのような現象はSiC結晶の基底面(0001)上の転位に関係する。サブ表面欠陥は,半分子格子厚さの整数倍数に等しいスクラッチカット深さを適用することにより減少し,最良の表面品質のための機械加工制御パラメータを選択するための基礎を形成した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 塑性 ,  単結晶 ,  *計算機シミュレーション ,  *ケイ素 ,  脆性 ,  炭化ケイ素 ,  非晶質 ,  機械工作 ,  オプトエレクトロニクス ,  引かき試験
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  *分子動力学シミュレーション ,  *6H-SiC ,  *材料除去 ,  *スクラッチ ,  転位すべり , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体の機械的性質一般  (BL01021C)

タイトルに関連する用語 (4件)： 4H-SiC ,  6H-SiC ,  材料除去 ,  分子動力学シミュレーション