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J-GLOBAL ID：202002267013176861   整理番号：20A2453333

個々のデバイス特性評価に基づくグラフェンFET技術の接触抵抗抽出【JST・京大機械翻訳】

Contact resistance extraction of graphene FET technologies based on individual device characterization

著者 (3件)： Pacheco-Sanchez Anibal (Departament d’Enginyeria Electronica, Escola d’Enginyeria, Universitat Autonoma de Barcelona, Bellaterra 08193, Spain) ,  Feijoo Pedro C. (Departament d’Enginyeria Electronica, Escola d’Enginyeria, Universitat Autonoma de Barcelona, Bellaterra 08193, Spain) ,  Jimenez David (Departament d’Enginyeria Electronica, Escola d’Enginyeria, Universitat Autonoma de Barcelona, Bellaterra 08193, Spain)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 172  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電気的デバイス特性に基づく直面接触抵抗抽出法を記述し,異なる技術からのグラフェン電界効果トランジスタに適用した。この方法は,あるバイアス条件下でグラフェンデバイスにおけるドリフト拡散様輸送を利用して,従来トランジスタ用に開発された抽出手順の教育適応である。グラフェントランジスタの接触抵抗抽出のための他の利用可能な手法とは対照的に,ここで用いた実用的な方法は,専用試験構造あるいは内部デバイス現象キャラクタリゼーションの製作を必要としない。この方法論をシミュレーションベースデータで評価し,製作したデバイスに適用した。抽出した値は他のより複雑な方法論で得られた値に近かった。Bias依存接触およびチャネル抵抗研究,バイアス依存高周波性能研究および接触工学研究を,抽出接触抵抗値によって強化し,評価した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 教育 ,  シミュレーション ,  *接触抵抗 ,  トランジスタ ,  FET【トランジスタ】 ,  HF【周波数】 ,  バイアス ,  キャラクタリゼーション ,  *グラフェン
準シソーラス用語： *デバイス特性 ,  ドリフト拡散 ,  *グラフェンFET ,  グラフェントランジスタ ,  チャネル抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： グラフェントランジスタ ,  接触抵抗 ,  抽出法

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 特性評価 ,  グラフェンFET ,  接触抵抗