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J-GLOBAL ID：202002267219021861   整理番号：20A2232892

2点接触hBN/グラフェン/hBNヘテロ構造デバイスにおけるElectron輸送と電流アニーリングの効果【JST・京大機械翻訳】

Electron transport and the effect of current annealing in a two-point contacted hBN/graphene/hBN heterostructure device

著者 (3件)： Schnitzspan Leo (Institute of Physics, Johannes Gutenberg-University Mainz, 55122 Mainz, Germany) ,  Tries Alexander (Institute of Physics, Johannes Gutenberg-University Mainz, 55122 Mainz, Germany) ,  Klaeui Mathias (Institute of Physics, Johannes Gutenberg-University Mainz, 55122 Mainz, Germany)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 128  号： 12  ページ： 124302-124302-7  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,六方晶窒化ホウ素(hBN)カプセル化少数層グラフェンのクリーンで不純物のないフリースタックを得るために,乾式移動法により不活性窒素雰囲気中で2D van der Waalsヘテロ構造デバイスを作製した。ヘテロ構造は,2つの側面で金リードとトップから接触し,固有電荷キャリア密度,移動度,および接触抵抗を含むデバイスの特性を,4Kから270Kの温度の関数として研究した。デバイスの接触抵抗は,主に金属/グラフェン界面に起因し,これは,全抵抗に重要な部分に寄与することを示した。電流アニーリングはグラフェン/金属界面に著しい影響を与えるが,hBNカプセル化数層グラフェンの固有キャリア密度とキャリア移動度は,しばしば報告された移動度改善とは反対に殆ど影響されないことを示した。しかし,電流アニーリング後,接触抵抗の75%低減は,このようなヘテロ構造デバイスの全体性能を改善し,バックゲート依存移動曲線はDirac点に関してより対称的になった。このhBN/グラフェン/hBNヘテロ構造に対する11200cm2V-1s-1の最大キャリア移動度を4Kで測定し,特に電流アニーリング後に良好なデバイス性能を示した。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  キャリア移動度 ,  *焼なまし ,  接触抵抗 ,  対称性 ,  電荷 ,  *電流 ,  不純物 ,  金 ,  キャリア密度 ,  二次元 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  Dirac点 ,  六方晶窒化ホウ素 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： 点接触 ,  グラフェン ,  ヘテロ構造 ,  輸送 ,  アニーリング