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J-GLOBAL ID：202002267289199003   整理番号：20A0394905

歪エンジニアリング下の単分子層α-In_2Se_3における強誘電性とトポロジカル相転移の共存【JST・京大機械翻訳】

The coexistence of ferroelectricity and topological phase transition in monolayer α-In₂Se₃ under strain engineering

著者 (4件)： Jiang Xingxing (Department of Applied Physics, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, People’s Republic of China) ,  Feng Yexin (Department of Applied Physics, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, People’s Republic of China) ,  Chen Ke-Qiu (Department of Applied Physics, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, People’s Republic of China) ,  Tang Li-Ming (Department of Applied Physics, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Physics. Condensed Matter  (Journal of Physics. Condensed Matter)
巻： 32  号： 10  ページ： 105501 (8pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0914B  ISSN： 0953-8984  CODEN： JCOMEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 歪工学による単層α-In_2Se_3における強誘電性とトポロジー相転移の共存を第一原理計算によって研究した。その結果,自発分極が増加すると,遷移障壁は減少し,適用歪にほぼ直線的に関係し,面内の二軸圧縮歪の影響は面外に沿った引張歪のそれより2桁大きいことを示した。結果は,線形分散関係をもつDirac円錐が,歪パターンが適用されると,Brillouin領域内の高対称性Γ点で生じることも示した。Fermi準位近傍の電子状態の軌道特性を解析することにより,電子構造が明らかなトポロジー相転移を示し,単分子層α-In_2Se_3が優れた2D強誘電体材料であるだけでなく,トポロジー材料でもあることを示した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 位相幾何学 ,  *単分子層 ,  *相転移 ,  電子構造 ,  単一層 ,  分散関係 ,  二次元 ,  *強誘電性 ,  線形性 ,  自発分極 ,  二軸 ,  電子状態 ,  対称性 ,  Fermi準位
準シソーラス用語： 引張歪 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (6件)： 歪 ,  エンジニアリング ,  単分子層 ,  強誘電性 ,  トポロジカル相転移 ,  共存