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J-GLOBAL ID：202002267510679743   整理番号：20A2556315

スピン軌道トルク磁気抵抗ランダムアクセスメモリにおけるエッジ粗さによる形状変形の効果【JST・京大機械翻訳】

Effect of Shape Deformation by Edge Roughness in Spin-Orbit Torque Magnetoresistive Random-Access Memory

著者 (3件)： Byun Jihun (School of Electrical Engineering Korea Advanced Institute of Science and Technology,Daejeon,Republic of Korea,34141) ,  Kang Doo Hyung (School of Electrical Engineering Korea Advanced Institute of Science and Technology,Daejeon,Republic of Korea,34141) ,  Shin Mincheol (School of Electrical Engineering Korea Advanced Institute of Science and Technology,Daejeon,Republic of Korea,34141)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： SISPAD  ページ： 205-208  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スピン軌道トルク-磁気ランダムアクセスメモリ(SOT-MRAM)における形状変形とエッジ粗さ効果の微小磁気シミュレーション研究を提示した。2つの異なる書き込み方式,磁場誘起SOT書込み方式とSOTスピン移動トルク(STT)ハイブリッド書き込み方式を,参照層から迷場の存在下で研究した。従来の磁場誘起SOTでは,形状変形が0.08の比較的高いgilbert減衰定数でも非決定論的スイッチングを引き起こすことを見出した。形状変形効果の下での決定論的スイッチングを確保するためには,0.09の高いGilbert減衰定数(a)が必要である。SOT-STTハイブリッド書き込みスキームは,STTの一定-z方向トルクによる比較的低いデバイス変動で,より低い減衰定数でさえ,決定論的スイッチングを示した。しかし,0.1の高い減衰定数で,SOT-STTハイブリッド書き込み方式によるデバイス変動は増加するが,SOT-磁場書き込み方式はエッジ変形によって引き起こされる変動の大部分を補償することに成功した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 磁場 ,  スイッチング ,  *トルク ,  *磁気 ,  減衰定数
準シソーラス用語： スピントルク ,  決定論 ,  マイクロマグネティックシミュレーション ,  Gilbertダンピング ,  *スピン-軌道トルク , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (8件)： スピン ,  軌道 ,  トルク ,  磁気 ,  抵抗ランダムアクセスメモリ ,  エッジ ,  粗さ ,  形状変形