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J-GLOBAL ID：202002267907678056   整理番号：20A2283641

薄膜形成中のマグネトロンスパッタリングプロセスの数学モデル化【JST・京大機械翻訳】

Mathematical Modelling of Magnetron Sputtering Process During Thin Films Formation

著者 (3件)： Malyukov S. P. (Southern Federal University,Institute of Nanotechnologies, Electronics and Equipment Engineering,Taganrog,Russia) ,  Sayenko A. V. (Southern Federal University,Institute of Nanotechnologies, Electronics and Equipment Engineering,Taganrog,Russia) ,  Zinovev S. S. (Southern Federal University,Institute of Nanotechnologies, Electronics and Equipment Engineering,Taganrog,Russia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： RusAutoCon  ページ： 368-373  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 材料のマグネトロンスパッタリングで薄膜被覆の形成を計算することができる数学モデルを提案し,それはイオンプラズマデバイスの磁場の数学的記述,電磁場におけるスパッタ物質の電子の運動,および基板上のその凝縮を固めた。他のダイオード型スパッタリングシステムと比較して,マグネトロンスパッタリングシステムの独特の特徴は,横方向磁場によるターゲット表面近傍のプラズマ局在化と電子経路の伸びによるイオン化強度の増加である。カソードとアノードの間の空間で移動する粒子の三次元軌道を得た。数学モデルは,粒子軌道に影響する空間電荷の影響を考慮した。電場および磁場における電子に対する4つの作用力の方程式の系の数値解を見出した。MatLabを用いた交差電気および磁場におけるマグネトロンスパッタリングの過程の数学的モデリングと数値実験により,薄膜応用の最適モードを見つけることができた。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： イオン ,  イオン化 ,  空間電荷 ,  磁場 ,  プラズマ ,  数値解法 ,  ダイオード ,  電場 ,  電磁場 ,  *薄膜 ,  被覆 ,  *数学モデル ,  三次元 ,  アノード ,  カソード

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 薄膜形成 ,  マグネトロンスパッタリング ,  プロセス ,  数学モデル