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J-GLOBAL ID：202002268198648298   整理番号：20A0394806

様々なタイプのゲートオールアラウンド電界効果トランジスタに関するラインエッジ粗さの研究【JST・京大機械翻訳】

Study of line edge roughness on various types of gate-all-around field effect transistor

著者 (2件)： Min Jinhong (Department of Electrical and Computer Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea) ,  Shin Changhwan (Department of Electrical and Computer Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 35  号： 1  ページ： 015004 (5pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々のチャネル型を有するゲート-オール-周辺FET(GAAFET)に及ぼすラインエッジ粗さ(LER)の影響を研究した。GAAFETの種々のチャネル型の中で,(i)ナノワイヤ(NW),(ii)ナノシート(NS),(iii)積層チャネルを調べた。Si/SiGe積層と選択的エッチングプロセス(GAAFETのチャネルを放出するために一般的に使用される)を考慮して,チャネルに対するLERプロファイルをモデル化した。さらに,3D LERモデリングを採用して,非平面デバイス構造におけるLERプロファイルを表現した。NSチャネルGAAFETには,NWチャネルGAAFETより高いオン状態駆動電流だけでなく,より良い性能変動免疫があることがわかった。これはチャネルのアスペクト比がLERプロファイルに影響するためである。単一チャネルGAAFETと比較して,積層チャネルGAAFETは,積層チャネル間の相補的効果のため,より良い変動免疫を有した。相補効果の影響を調べるために,二つの異なる積層チャネルをシミュレートし,その一つは積層チャネル間に相関を持たず,もう一つはチャネル放出処理ステップから誘導された相関を持つ。チャネル間に相関のない積層チャネルGAAFETは,より良い変動ロバスト性を持つことができることが分かった。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： アスペクト比 ,  ナノワイヤ ,  *FET【トランジスタ】 ,  ナノシート ,  ケイ素 ,  チャネル ,  素子構造 ,  ロバスト性 ,  三次元
準シソーラス用語： 駆動電流 ,  オン状態 ,  シリコンゲルマニウム ,  *ラインエッジ粗さ ,  *ゲートオールアラウンド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： タイプ ,  ゲートオールアラウンド ,  電界効果トランジスタ ,  ラインエッジ粗さ ,  研究