文献

J-GLOBAL ID：202002268303273438   整理番号：20A2549277

電子ビーム蒸着によるβ-Ga_2O_3薄膜の成長【JST・京大機械翻訳】

Growth of β-Ga₂O₃ thin filmsby e-beam evaporation

著者 (5件)： Kumar Saurabh (PDPM Indian Institute of Information Technology, Design and Manufacturing Jabalpur, Airport Road, Jabalpur-482004, M. P., India) ,  Gurnani Anita (Department of Physics, Central University of Rajasthan, Bandarsindri-305817, Rajasthan, India) ,  Kulriya P. K. (Inter-University Accelerator Centre, Aruna Asaf Ali Marg, New Delhi-110067, India) ,  Ojha S. (Inter-University Accelerator Centre, Aruna Asaf Ali Marg, New Delhi-110067, India) ,  Katharria Y. S. (PDPM Indian Institute of Information Technology, Design and Manufacturing Jabalpur, Airport Road, Jabalpur-482004, M. P., India)
資料名： AIP Conference Proceedings  (AIP Conference Proceedings)
巻： 2265  号： 1  ページ： 030247-030247-4  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0071C  ISSN： 0094-243X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： β-Ga_2O_3の高品質多結晶薄膜を石英とSi(100)基板上に電子ビーム蒸着とそれに続く950°Cでのポスト堆積アニーリングを用いて成長させた。薄膜を特性化し,それらの構造,組成,光学的性質を調べた。x線回折,Raman分光法,およびUV-可視吸収測定を通して,熱アニーリングがバンドギャップ4.04eVの成長した非晶質膜を,4.84eVのバンドギャップを持つ多結晶層に変換することを観測した。Rutherford後方散乱分光法により確認されたように,成長したままの膜はサブ化学量論であった。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 回折 ,  光学的性質 ,  焼なまし ,  *薄膜 ,  石英 ,  多結晶 ,  化学量論 ,  *電子ビーム蒸着 ,  Rutherford散乱分光法 ,  Raman分光法 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 高品質 ,  熱アニーリング ,  多結晶薄膜 ,  非晶質膜 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電子ビーム蒸着 ,  薄膜 ,  成長