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J-GLOBAL ID：202002268360331204   整理番号：20A0634257

成長法の調整による熱起電力因子を改善するためのSnSe結晶の電気輸送特性の変調【JST・京大機械翻訳】

Modulating electrical transport properties of SnSe crystal to improve the thermoelectric power factor by adjusting growth method

著者 (10件)： Zhang Hang-Fei (National Laboratory of Solid State Microstructures, Jiangsu Key Laboratory of Artificial Functional Materials and Department of Materials Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Lv Yang-Yang (National Laboratory of Solid State Microstructures and Department of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Xu Lu (National Laboratory of Solid State Microstructures, Jiangsu Key Laboratory of Artificial Functional Materials and Department of Materials Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Luo Ye-Cheng (National Laboratory of Solid State Microstructures and Department of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Lu Hao-Min (National Laboratory of Solid State Microstructures, Jiangsu Key Laboratory of Artificial Functional Materials and Department of Materials Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Wang C. W. (Center for Excellence in Superconducting Electronics, State Key Laboratory of Functional Material for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Liu Z. K. (School of Physical Science and Technology, ShanghaiTech University, CAS-Shanghai Science Research Center, Shanghai 200031, People’s Republic of China) ,  Zhou Jian (National Laboratory of Solid State Microstructures, Jiangsu Key Laboratory of Artificial Functional Materials and Department of Materials Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Chen Y. B. (National Laboratory of Solid State Microstructures and Department of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Yao Shu-Hua (National Laboratory of Solid State Microstructures, Jiangsu Key Laboratory of Artificial Functional Materials and Department of Materials Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 116  号： 9  ページ： 092103-092103-5  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SnSe結晶は熱電材料の分野で有望な候補である。SnSe系における基礎物理を解明するために,フラックス法(溶媒としてアルカリハライドを用いる)により,非常に正孔をドープしたSnSe単結晶を報告した。Bridgman法により成長させたSnSeの金属-金属挙動と比較して,フラックス成長SnSe結晶は,2~300Kの温度範囲でLandauFermi液体(抵抗率ρ~T2)と一致する金属伝導挙動を示した。フラックス法により成長させたSnSeのCoulomb電子-電子相互作用Uの遮蔽長λは6.6Åと6.1eVであり,これは通常の金属のそれらより非常に高い。室温でフラックス法により成長させたSnSe結晶の優れた電気伝導率(870S/cm)は,高い正孔濃度(~3.8×10~19cm-3)と大きな移動度(152.2cm~2V~-1s-1)に起因した。一方,これらのSnSe結晶は依然として大きなSeebeck係数(~190μV/K)を有していた。従って,フラックス法により成長させたSnSe結晶は室温で超高出力因子[~31.5μW/(cmK2)]を有し,Bridgman法により成長させたSnSe結晶のそれより10倍大きく,現在報告されている結果と同様に最良であった。本研究は,電気的性質を理解し,その熱電性能を改善するためのプラットフォームを提供する,高度に正孔ドープしたSnSe結晶を成長させるための方法を示した。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： アルカリ金属ハロゲン化物 ,  熱電材料 ,  Bridgman法 ,  *結晶 ,  単結晶 ,  *熱起電力 ,  電気抵抗率 ,  電気的性質 ,  移動度 ,  ドーピング ,  e-e相互作用 ,  正孔 ,  フラックス法 ,  電気伝導率
準シソーラス用語： Seebeck係数 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 成長 ,  熱起電力 ,  因子 ,  結晶 ,  電気輸送 ,  変調