文献

J-GLOBAL ID：202002268412136442   整理番号：20A1125454

Se_80Te_15Ge_5/p-Siヘテロ接合の電流電圧特性評価と光起電力特性【JST・京大機械翻訳】

Current-voltage characterizations and photovoltaic properties of Se₈₀Te₁₅Ge₅/p-Si heterojunction

著者 (3件)： Farid A. S. (Physics Department, Faculty of Education, Ain Shams University, Roxy, Cairo, Egypt) ,  El-Nahass M. M. (Physics Department, Faculty of Education, Ain Shams University, Roxy, Cairo, Egypt) ,  Ali H. A. M. (Physics Department, Faculty of Education, Ain Shams University, Roxy, Cairo, Egypt)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 126  号： 6  ページ： 407  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Se_80Te_15Ge_5の薄膜を単結晶p-Si基板上に熱蒸着法により調製し,Au/Se_80Te_15Ge_5/p-Si/アールヘテロ接合を得た。暗所における接合部の電流-電圧特性を303~343Kの温度範囲で評価し,印加電圧は-2~+2Vの範囲であった。接合部は整流比,理想因子(m),直列抵抗(R_s)およびシャント抵抗(R_sh)のようないくつかのダイオードパラメータに対する計算によりダイオード挙動を示すことが分かった。Au/Se_80Te_15Ge_5/p-Si/アールのI-V特性曲線から,接合の順方向と逆方向の両方で動作機構を調べた。白色光照射下でのAu/Se_80Te_15Ge_5/p-Si/アールの光起電力特性を調べた。セルの効率は推定し,3.68の値を持つ。Copyright Springer-Verlag GmbH Germany, part of Springer Nature 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  *光起電力 ,  真空蒸着 ,  ダイオード ,  太陽電池 ,  単結晶 ,  薄膜 ,  *電流電圧特性 ,  白色光 ,  特性曲線
準シソーラス用語： 温度範囲 ,  印加電圧 ,  直列抵抗 ,  シャント抵抗 ,  整流比 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Se_80Te_15Ge_5 ,  太陽電池 ,  Hereojunction ,  薄膜

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  ガラスの性質・分析・試験  (YC02030Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  ヘテロ接合 ,  電流電圧特性 ,  評価 ,  光起電力