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J-GLOBAL ID：202002268495347452   整理番号：20A2763578

フィールドストップ技術における4H-SiC IGBTのオン状態性能限界の理論的解析【JST・京大機械翻訳】

Theoretical Analysis of ON-State Performance Limit of 4H-SiC IGBT in Field-Stop Technology

著者 (2件)： Luo Peng (Department of Electronic and Electrical Engineering, Electrical Machines and Drives Research Group, The University of Sheffield, Sheffield, U.K.) ,  Madathil Sankara Narayanan Ekkanath (Department of Electronic and Electrical Engineering, Electrical Machines and Drives Research Group, The University of Sheffield, Sheffield, U.K.)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 67  号： 12  ページ： 5621-5627  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,フィールドストップ技術における4H-炭化ケイ素(SiC)IGBTのON状態性能限界を,初めて理論的に推定し,シリコン対応物と比較した。理論解析は,高電流p-i-nダイオードの静的モデリングに基づいており,計算結果をTCADシミュレーションで調べた。伝導率変調効果のために,4H-SiC IGBTのON状態損失は,絶縁破壊電圧(BV)の増加と共に,どんな有意な増加も示さなかった。しかし,SiCの大きなビルトインポテンシャルは,ON状態電圧降下の減少に固有の限界を与える。4H-SiC IGBTと比較して,シリコンベースIGBTは,考察したBV範囲内で優れたON状態性能限界を示したが,それらのドリフト層厚は4H-SiC IGBTのそれよりも10倍高かった。したがって,シリコンIGBTは,高い電力変換効率を高めるための効率的な技術として残っている。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  ダイオード ,  ケイ素 ,  炭化ケイ素 ,  ドリフト ,  層厚 ,  *IGBT ,  電圧降下
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  絶縁破壊電圧 ,  TCAD ,  オン状態 ,  理論解析 ,  電力変換効率 ,  大電流 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： フィールド ,  ストップ ,  4H-SiC ,  IGBT ,  オン状態 ,  限界 ,  理論 ,  解析