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J-GLOBAL ID：202002268708054337   整理番号：20A0785098

薄膜の選択的原子層堆積のための簡単なマスキング法【JST・京大機械翻訳】

Simple masking method for selective atomic layer deposition of thin films

著者 (4件)： Hashemi Astaneh Sarah (Chemical Engineering Department, University of Illinois at Chicago, Chicago, Illinois 60607) ,  Sukotjo Cortino (Department of Restorative Dentistry, University of Illinois at Chicago, Chicago, Illinois 60612) ,  Takoudis Christos G. (Chemical Engineering Department, University of Illinois at Chicago, Chicago, Illinois 60607) ,  Feinerman Alan (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Illinois at Chicago, Chicago, Illinois 60607)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 38  号： 2  ページ： 025001-025001-6  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 選択的原子層堆積(ALD)のための簡単な物理的マスキング法を示した。鉄粉末と磁石をマスキング対として用いた。この方法は,任意の基板上で0.3mmまたはそれ以上の大きさの特徴サイズをもつパターン化薄膜の堆積に対して容易で効率的である。本研究では,磁石により保持された鉄粉を用いることにより,シリコンウエハ基板の一部をマスクするが,鉄粉末はマスクしない部分にある。銀粒子薄膜をマスクしたSiウエハ上に堆積した。X線光電子分光法,原子間力顕微鏡法,走査電子顕微鏡法を用いて,試料のマスクされた部分とマスクされていない部分の銀のキャラクタリゼーションを行った。結果は,銀薄膜のALD様表面成長がマスクされていないSiウエハ上に生じ,Siウエハのマスク部分上に成長が検出されないことを示した。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： マスキング ,  キャラクタリゼーション ,  銀 ,  パターン形成 ,  鉄粉 ,  薄膜成長 ,  *薄膜 ,  磁石 ,  X線光電子分光法
準シソーラス用語： 銀薄膜 ,  走査電子顕微鏡法 ,  原子間力顕微鏡法 ,  シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜 ,  原子層堆積 ,  マスキング