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J-GLOBAL ID:202002268799096596   整理番号:20A1070520

O 1s閾値でのX線吸収分光法により明らかにされたNiO薄膜における陽イオン空孔の熱誘起枯渇【JST・京大機械翻訳】

Thermal induced depletion of cationic vacancies in NiO thin films evidenced by x-ray absorption spectroscopy at the O 1s threshold
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資料名:
巻: 38  号:ページ: 033209-033209-7  発行年: 2020年 
JST資料番号: C0789B  ISSN: 0734-2101  CODEN: JVTAD6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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p型半導体NiO薄膜におけるカチオン空孔の濃度に及ぼす熱アニーリングの影響を,O1s閾値におけるX線吸収分光法により研究した。この技術は,高酸化状態のNiイオンと関連した吸収閾値以下で観測されたプレピークの強度を通してNi空格子点の量に非常に敏感であることを証明した。種々の空格子点濃度を有するサンプルを,プラズマ中の種々のO_2/Ar比を有する無線周波数マグネトロンスパッタリングによって得た。薄膜成長時と後処理後の熱効果を調べた。両方の場合において,観察された効果は非常に類似しており,温度による陽イオン空孔の枯渇を示した。X線吸収分光測定の表面感度を変えることにより,化学量論的NiOへの転移が表面で始まることを見出した。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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酸化物薄膜 

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